场效应管(MOSFET) IRFRC20PBF DPAK(TO-252)中文介绍，威世(VISHAY)

威世(VISHAY) 场效应管 IRFRC20PBF DPAK(TO-252) 中文介绍

一、概述

IRFRC20PBF 是一款由威世(VISHAY) 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DPAK (TO-252) 封装。它具有优异的开关性能、低导通电阻和高电流容量，广泛应用于电源管理、电机控制、无线充电和消费电子等领域。

二、产品特点

* N 沟道增强型 MOSFET：采用 N 型硅材料，需要施加正向栅极电压才能导通。

* DPAK (TO-252) 封装：体积小巧，散热性能良好，适用于空间有限的应用场景。

* 低导通电阻 (RDS(on))：最大导通电阻仅为 20 mΩ，可有效降低功率损耗，提高系统效率。

* 高电流容量：最大电流容量高达 130A，能够满足高功率应用需求。

* 快速开关速度：拥有优异的开关特性，上升时间和下降时间短，减少开关损耗。

* 高耐压值：最大耐压值可达 200V，适用于高电压应用场景。

* 工作温度范围：工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +175°C，可适应各种环境条件。

* 符合 RoHS 标准：符合欧洲无铅环保标准，符合现代环保要求。

三、技术参数

| 参数 | 值 | 单位 | 测试条件 |

|-----------------------------|-------------|-------------|------------------------------------------------------------------------------------------|

| 导通电阻 (RDS(on)) | 20 mΩ | Ω | VGS=10V, ID=10A |

| 最大电流容量 (ID) | 130A | A | TC=25°C |

| 最大耐压值 (VDSS) | 200V | V | |

| 栅极阈值电压 (VGS(th)) | 2.5V | V | ID=1mA |

| 输入电容 (Ciss) | 1600pF | pF | VDS=25V, f=1MHz |

| 输出电容 (Coss) | 400pF | pF | VGS=0V, f=1MHz |

| 反向转移电容 (Crss) | 100pF | pF | VDS=25V, f=1MHz |

| 开关速度 (上升时间) (tr) | 10ns | ns | VDS=200V, ID=10A, VGS=10V |

| 开关速度 (下降时间) (tf) | 10ns | ns | VDS=200V, ID=10A, VGS=10V |

| 工作温度范围 | -55°C 到 +175°C | °C | |

| 封装 | DPAK (TO-252) | | |

四、工作原理

IRFRC20PBF 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理基于金属-氧化物-半导体 (MOS) 结构。器件包含一个 P 型硅衬底、一个 N 型硅沟道、一个氧化层和一个金属栅极。当在栅极上施加正向电压时，会在沟道中形成一个电子积累层，使器件导通。

五、应用范围

IRFRC20PBF 由于其低导通电阻、高电流容量和快速开关速度，在各种电子设备中得到广泛应用，包括：

* 电源管理: 适用于各种电源转换器，例如 DC-DC 转换器、开关电源、电源适配器等。

* 电机控制: 用于控制电机转速、方向和扭矩，例如直流电机、交流电机、伺服电机等。

* 无线充电: 适用于无线充电发射器和接收器，实现高效的无线能量传输。

* 消费电子: 用于笔记本电脑、手机、平板电脑、音响等消费类电子产品，提高效率和性能。

六、注意事项

* 在使用 IRFRC20PBF 之前，请仔细阅读其数据手册，了解其详细技术参数和使用注意事项。

* 在使用过程中，请注意散热问题，确保器件温度不超过其最大工作温度。

* 为了避免器件损坏，请确保栅极电压不超过其额定值。

* 在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的驱动电路和保护电路。

七、总结

IRFRC20PBF 是一款性能优越的 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高电流容量和快速开关速度等特点。它广泛应用于各种电子设备中，为电源管理、电机控制、无线充电和消费电子等领域提供了高效可靠的解决方案。

场效应管(MOSFET) IRFRC20PBF DPAK(TO-252)中文介绍，威世(VISHAY)

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