场效应管(MOSFET) SI1021R-T1-GE3 SC-75A中文介绍，威世(VISHAY)

威世 SI1021R-T1-GE3 SC-75A 场效应管 (MOSFET) 中文介绍

概述

SI1021R-T1-GE3 SC-75A 是威世 (Vishay) 公司生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SC-75A 封装。它是一款低功率、高性能器件，适用于各种应用，例如电源管理、开关和信号放大。

主要特点

* N 沟道增强型 MOSFET

* 额定漏极电流 (ID)：1A

* 额定漏极-源极电压 (VDSS)：60V

* 导通电阻 (RDS(on))：0.15 Ω (典型值)

* 栅极阈值电压 (VGS(th))：1.5V (典型值)

* 栅极电荷 (Qg)：50nC (典型值)

* 功耗 (Pd)：0.5W (最高值)

* 工作温度范围：-55°C 至 +150°C

* 封装类型：SC-75A

性能分析

1. 漏极电流 (ID)

SI1021R-T1-GE3 SC-75A 的额定漏极电流 (ID) 为 1A，表明它能够承受的最大电流为 1 安培。这个电流值对于许多低功耗应用来说已经足够大，例如电池供电设备和小型电源系统。

2. 漏极-源极电压 (VDSS)

额定漏极-源极电压 (VDSS) 为 60V，意味着该 MOSFET 可以在最高 60 伏特的电压下工作。这个电压值对于许多应用来说也足够高，例如汽车电子和工业控制。

3. 导通电阻 (RDS(on))

导通电阻 (RDS(on)) 代表 MOSFET 在导通状态下的电阻，其值越低，器件的损耗越小，效率越高。SI1021R-T1-GE3 SC-75A 的 RDS(on) 为 0.15 Ω (典型值)，表明它具有较低的导通电阻，能够在导通状态下提供较小的功率损耗，适用于高效率应用。

4. 栅极阈值电压 (VGS(th))

栅极阈值电压 (VGS(th)) 指 MOSFET 从截止状态转为导通状态所需的最小栅极电压。SI1021R-T1-GE3 SC-75A 的 VGS(th) 为 1.5V (典型值)，表明它需要一个相对较低的栅极电压来驱动，使其更易于控制。

5. 栅极电荷 (Qg)

栅极电荷 (Qg) 指 MOSFET 从截止状态转为导通状态，或从导通状态转为截止状态所需积累或释放的电荷量。SI1021R-T1-GE3 SC-75A 的 Qg 为 50nC (典型值)，表明它需要较小的电荷量来改变其状态，这有利于提高开关速度和降低功耗。

6. 功耗 (Pd)

功耗 (Pd) 指 MOSFET 在工作时所消耗的功率。SI1021R-T1-GE3 SC-75A 的 Pd 为 0.5W (最高值)，表明它在工作时能够消耗较小的功率，适用于低功耗应用。

7. 工作温度范围

工作温度范围是指 MOSFET 能够正常工作的温度范围。SI1021R-T1-GE3 SC-75A 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表明它能够在极端温度条件下工作，适用于各种环境。

8. 封装类型

封装类型指 MOSFET 的外形结构。SI1021R-T1-GE3 SC-75A 采用 SC-75A 封装，这种封装尺寸小、重量轻，适合于空间受限的应用。

应用

SI1021R-T1-GE3 SC-75A 适用于各种应用，例如：

* 电源管理: 作为电源开关、电压调节器、电流限制器等。

* 开关: 在各种电子设备中用作开关，例如电源开关、信号开关。

* 信号放大: 在音频和视频设备中用作信号放大器。

* 电池供电设备: 由于其低功耗特性，它特别适合于电池供电设备。

* 小型电源系统: 适用于小型电源系统，例如电源适配器、充电器等。

结论

SI1021R-T1-GE3 SC-75A 是一款性能优良、功能强大的 N 沟道增强型 MOSFET，它具有低功耗、高效率、高可靠性等特点，适用于各种应用。其较低的导通电阻、较小的栅极电荷和宽的工作温度范围使其成为许多低功耗应用的理想选择。

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