威世(VISHAY) SIA910EDJ-T1-GE3 PowerPAK-SC-70-6 场效应管(MOSFET) 中文介绍

1. 产品概述

SIA910EDJ-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY) 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 PowerPAK-SC-70-6 封装。它是一款高性能、低导通电阻的器件，专为各种应用而设计，如电源管理、电池充电、电机控制等。

2. 产品特点

* N 沟道增强型 MOSFET

* 低导通电阻 (RDS(on))：典型值 0.11 Ω @ 10 V，25 ℃

* 高电流容量：连续漏电流 ID(cont) 可达 5.5 A

* 低栅极电荷 (Qg)：典型值 22 nC

* 高结温 (Tj)：最高可达 175 ℃

* 高可靠性：满足 AEC-Q101 标准

* 封装：PowerPAK-SC-70-6

3. 技术参数

| 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测量条件 |

|---|---|---|---|---|---|

| 漏极-源极电压 | VDS | - | 60 | V | |

| 栅极-源极电压 | VGS | - | ±20 | V | |

| 漏极电流 | ID | 5.5 | 6 | A | |

| 导通电阻 | RDS(on) | 0.11 | 0.22 | Ω | VGS = 10 V, ID = 5.5 A, TJ = 25 ℃ |

| 栅极电荷 | Qg | 22 | - | nC | VGS = 10 V, ID = 5.5 A |

| 结温 | TJ | - | 175 | ℃ | |

| 输入电容 | Ciss | - | 1600 | pF | VDS = 0 V, f = 1 MHz |

| 输出电容 | Coss | - | 100 | pF | VDS = 0 V, f = 1 MHz |

| 反向传输电容 | Crss | - | 30 | pF | VDS = 0 V, f = 1 MHz |

| 漏极-源极泄漏电流 | IDSS | - | 100 | μA | VGS = 0 V, VDS = 60 V |

| 栅极-漏极泄漏电流 | IGSS | - | 10 | μA | VGS = -20 V, VDS = 0 V |

| 导通时间 | ton | - | 15 | ns | VDS = 60 V, VGS = 10 V |

| 关闭时间 | toff | - | 45 | ns | VDS = 60 V, VGS = -10 V |

4. 产品应用

* 电源管理系统：DC-DC 转换器、线性稳压器、开关电源

* 电池充电器：锂离子电池充电器、铅酸电池充电器

* 电机控制：马达驱动、伺服系统

* 其他应用：LED 照明、电源适配器、家用电器

5. 工作原理

SIA910EDJ-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理基于 MOS 结构。器件由一个 PN 结、一个金属栅极和一个氧化层构成。当栅极电压 VGS 达到一定值时，氧化层下的通道被打开，允许电流从漏极流向源极。导通电阻 RDS(on) 的大小取决于通道的宽度和厚度。

6. 使用注意事项

* 使用前请仔细阅读产品数据手册。

* 使用适当的散热措施以防止器件过热。

* 注意栅极电压的范围，避免超出器件的耐压范围。

* 使用正确的焊接工艺，避免过热或受力损坏器件。

7. 封装说明

SIA910EDJ-T1-GE3 采用 PowerPAK-SC-70-6 封装，该封装是一种小型、高密度封装，适用于表面贴装技术。其尺寸为 3.9mm x 2.9mm x 1.1mm，具有良好的热性能和可靠性。

8. 优势与不足

优势：

* 低导通电阻，提高效率

* 高电流容量，适合高电流应用

* 高结温，可承受高温环境

* 高可靠性，满足 AEC-Q101 标准

不足：

* 工作频率有限

* 封装尺寸较小，焊接难度较高

9. 总结

SIA910EDJ-T1-GE3 是一款高性能、低导通电阻的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于各种电源管理、电池充电、电机控制等应用。其低导通电阻、高电流容量、高结温和高可靠性使其成为各种应用的理想选择。

10. 相关资料

* 威世(VISHAY) 官方网站：/

* SIA910EDJ-T1-GE3 数据手册：

11. 关键词

MOSFET，场效应管，SIA910EDJ-T1-GE3，威世(VISHAY)，PowerPAK-SC-70-6，电源管理，电池充电，电机控制，低导通电阻，高电流容量，高结温，高可靠性。

12. 版权声明

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