场效应管(MOSFET) NCE7560K TO-252-2(DPAK)中文介绍，新洁能(NCE)

新洁能 NCE7560K TO-252-2(DPAK) 场效应管详解

一、概述

NCE7560K 是一款由新洁能 (NCE) 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-252-2(DPAK) 封装。该器件具有高电流容量、低导通电阻和快速开关速度等特点，适用于各种高性能电子设备的电源管理、电机控制和功率转换应用。

二、产品特性

* 高电流容量: NCE7560K 的最大漏极电流 (ID) 为 60A，可承受较大的电流负载。

* 低导通电阻: 典型的导通电阻 (RDS(on)) 为 1.8mΩ，可有效降低功率损耗，提高效率。

* 快速开关速度: NCE7560K 的开关速度快，可以快速响应控制信号，适用于高速开关应用。

* 工作电压: NCE7560K 的最大工作电压 (VDS) 为 60V，可以适用于各种电压等级的应用。

* 低功耗: NCE7560K 的功耗较低，适用于各种对功耗要求较高的应用。

* 可靠性高: NCE7560K 采用严格的生产工艺和测试流程，确保产品的高可靠性和稳定性。

* 封装: TO-252-2(DPAK) 封装，体积小巧，易于安装和散热。

三、应用领域

NCE7560K 适用于各种需要高性能 MOSFET 的应用，包括：

* 电源管理: 适用于各种电源转换器、充电器和电池管理系统。

* 电机控制: 适用于各种电机驱动器、伺服系统和变频器。

* 功率转换: 适用于各种 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和逆变器。

* 其他应用: 适用于各种工业控制、汽车电子和消费电子等领域。

四、技术参数

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---|---|---|---|

| 漏极电流 (ID) | 60A | 60A | A |

| 导通电阻 (RDS(on)) | 1.8mΩ | 2.5mΩ | Ω |

| 工作电压 (VDS) | 60V | 60V | V |

| 栅极阈值电压 (VGS(th)) | 2.5V | 4.0V | V |

| 输入电容 (Ciss) | 1200pF | - | pF |

| 输出电容 (Coss) | 100pF | - | pF |

| 反向转移电容 (Crss) | 10pF | - | pF |

| 功耗 (PD) | 100W | - | W |

| 工作温度 | -55℃~150℃ | - | ℃ |

五、工作原理

NCE7560K 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理如下：

1. 静止状态: 当栅极电压 (VGS) 低于栅极阈值电压 (VGS(th)) 时，MOSFET 处于截止状态，漏极电流 (ID) 为零。

2. 导通状态: 当栅极电压 (VGS) 高于栅极阈值电压 (VGS(th)) 时，MOSFET 处于导通状态，漏极电流 (ID) 开始流动。

3. 漏极电流 (ID): 漏极电流 (ID) 的大小与栅极电压 (VGS) 和漏极电压 (VDS) 成正比。

六、封装与散热

NCE7560K 采用 TO-252-2(DPAK) 封装，体积小巧，易于安装和散热。由于该器件具有较大的电流容量，因此需要考虑散热问题。建议使用散热片或其他散热措施来保证器件的正常工作。

七、注意事项

* 在使用 NCE7560K 时，应注意其最大工作电压 (VDS)、最大漏极电流 (ID) 和最大功耗 (PD) 等参数，防止器件损坏。

* 应避免在器件上施加过高的电压，防止器件击穿。

* 应注意器件的散热问题，确保器件的正常工作温度。

* 在进行电路设计时，应参考器件的 datasheet，并进行相应的测试和验证。

八、结论

NCE7560K 是一款性能优异、可靠性高、用途广泛的 N 沟道增强型 MOSFET。其高电流容量、低导通电阻和快速开关速度等特点使其适用于各种高性能电子设备的电源管理、电机控制和功率转换应用。在使用该器件时，应注意其技术参数、工作原理、封装和散热等问题，确保器件的正常工作。

九、其他

* 本文仅供参考，具体产品信息请参考 NCE 公司的官方资料。

* 在使用任何电子元器件之前，请仔细阅读其 datasheet 并进行相应的测试和验证。

* 本文内容版权归属原创作者所有，转载请注明出处。

希望本文能够帮助您更好地了解新洁能 NCE7560K 场效应管。

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