场效应管(MOSFET) NCE82H140 TO-220-3中文介绍，新洁能(NCE)

新洁能 NCE82H140 TO-220-3 场效应管（MOSFET）详细介绍

NCE82H140是一款由新洁能（NCE）生产的功率场效应管（MOSFET），采用TO-220-3封装，具有高电流、低导通电阻、快速开关速度等特点，广泛应用于各种功率转换电路中。本文将从以下几个方面对NCE82H140进行详细介绍：

一、产品概述

NCE82H140是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的DMOS工艺制造，具有以下特点：

* 高电流: 额定电流高达82A，适用于高电流应用。

* 低导通电阻: 导通电阻RDS(on)低至0.015Ω，减少了功率损耗，提高了效率。

* 快速开关速度: 具备快速开关特性，适用于高频开关电路。

* 高耐压: 额定耐压140V，可应对高电压应用。

* 可靠性高: 采用严格的质量控制和可靠性测试，保证产品质量和稳定性。

二、产品参数

以下是NCE82H140的主要参数：

| 参数 | 规格 | 单位 |

|----------------|--------|-------|

| 额定电压 | 140V | V |

| 额定电流 | 82A | A |

| 导通电阻RDS(on) | 0.015Ω | Ω |

| 最大结温 | 175°C | °C |

| 封装 | TO-220-3 | |

| 栅极阈值电压 | 4V | V |

| 输入电容 | 2300pF | pF |

| 输出电容 | 1000pF | pF |

三、产品特性分析

1. 高电流特性:

NCE82H140的额定电流高达82A，这得益于其采用DMOS工艺制造，DMOS工艺能够实现较大的芯片面积和更低的导通电阻，从而获得更高的电流承载能力。

2. 低导通电阻特性:

低导通电阻RDS(on)是功率MOSFET的重要指标之一，它直接影响着器件的功率损耗。NCE82H140的RDS(on)仅为0.015Ω，这主要得益于DMOS工艺的低阻抗特性，以及优化设计的芯片结构。低导通电阻可以有效减少功率损耗，提高转换效率。

3. 快速开关速度特性:

快速开关速度是功率MOSFET应用于高频开关电路的关键参数。NCE82H140的开关速度快，主要归功于以下几点：

* 低输入电容: 输入电容较低，可以有效减小充电和放电时间，从而提高开关速度。

* 低输出电容: 输出电容较低，可以有效降低开关过程中的能量损耗，从而提高开关速度。

* 优化的芯片设计: 优化设计的芯片结构，可以有效降低开关过程中的寄生电容，从而提高开关速度。

4. 高耐压特性:

NCE82H140的额定耐压为140V，能够承受较高的电压，适用于高电压应用。

5. 可靠性高:

NCE82H140经过严格的质量控制和可靠性测试，保证了产品的稳定性和可靠性，可用于各种苛刻的应用环境。

四、应用领域

NCE82H140凭借其高电流、低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特点，在各种功率转换电路中得到广泛应用，主要应用领域包括：

* 电源转换器: 包括DC-DC转换器、AC-DC转换器等。

* 电机驱动: 包括直流电机驱动、交流电机驱动等。

* 工业控制: 例如，焊接设备、电镀设备等。

* 太阳能和风能: 例如，太阳能逆变器、风能发电系统等。

五、产品选型注意事项

在选择NCE82H140时，需要根据具体的应用需求进行选择，主要考虑以下几个方面：

* 工作电压: 根据应用场景的电压范围选择合适的额定电压。

* 工作电流: 根据应用场景的电流大小选择合适的额定电流。

* 散热条件: 考虑到器件的功耗和散热条件，选择合适的封装和散热方案。

* 开关速度: 根据应用场景的开关频率选择合适的开关速度。

* 可靠性要求: 根据应用场景的可靠性要求选择合适的可靠性级别。

六、总结

NCE82H140是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于各种高电流、高电压、高频应用。其高电流、低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特点使其在电源转换器、电机驱动、工业控制等领域得到广泛应用。选择NCE82H140时，需要根据具体应用场景进行选择，确保器件能够满足应用需求。

七、其他信息

* NCE82H140的Datasheet可以通过新洁能官网或者其他电子元器件供应商网站获取。

* 新洁能（NCE）是国内领先的功率半导体器件制造商，其产品质量和可靠性都得到了市场认可。

希望以上介绍能够帮助您更好地了解NCE82H140这款功率MOSFET。

场效应管(MOSFET) NCE82H140 TO-220-3中文介绍，新洁能(NCE)

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