场效应管(MOSFET) NCEP01ND35AG DFN-8(4.9x5.8)中文介绍，新洁能(NCE)

新洁能 NCEP01ND35AG DFN-8(4.9x5.8) 场效应管 (MOSFET) 详细介绍

一、概述

NCEP01ND35AG 是一款由新洁能 (NCE) 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 DFN-8 (4.9x5.8) 封装。该器件具有低导通电阻、高电流能力、高速开关速度等特点，适用于各种高性能应用，例如电源管理、电机控制、LED 照明、通信设备等。

二、产品规格参数

| 参数 | 规格 | 单位 |

|-----------------------|-----------|-------|

| 漏极-源极电压 (V_DSS) | 35 | V |

| 漏极电流 (I_D) | 1 | A |

| 导通电阻 (R_DS(on)) | 10.5 | mΩ |

| 栅极阈值电压 (V_GS(th)) | 2 | V |

| 栅极-源极电压 (V_GS) | ±20 | V |

| 漏极-源极电压 (V_DS) | 15 | V |

| 输入电容 (C_iss) | 220 | pF |

| 输出电容 (C_oss) | 50 | pF |

| 反向转移电容 (C_rss) | 10 | pF |

| 工作温度 | -55 ~ +150 | °C |

| 封装 | DFN-8 (4.9x5.8) | |

三、特性分析

1. 低导通电阻 (R_DS(on))

NCEP01ND35AG 的导通电阻仅为 10.5 mΩ，这得益于其先进的工艺技术和优化的芯片设计。低导通电阻意味着在器件导通状态下，导通损耗更低，功率效率更高。

2. 高电流能力

该器件能够承受高达 1A 的漏极电流，满足了高功率应用的需求。高电流能力保证了器件在负载电流变化较大时仍能稳定工作。

3. 高速开关速度

NCEP01ND35AG 具有高速开关速度，这得益于其低输入电容和低输出电容。高速开关速度意味着器件能够快速响应开关信号，提高系统的工作效率和响应速度。

4. 低栅极阈值电压 (V_GS(th))

该器件的栅极阈值电压仅为 2V，这意味着在低栅极电压下就能实现器件的导通，降低了驱动电路的功耗。

5. 广泛的工作温度范围

NCEP01ND35AG 的工作温度范围为 -55 ~ +150 °C，适应各种恶劣环境。

四、应用领域

NCEP01ND35AG 凭借其优异的性能，在以下领域具有广泛的应用：

* 电源管理：作为开关电源中的核心器件，实现高效率的电源转换。

* 电机控制：用于驱动电机，实现电机的高效控制。

* LED 照明：作为 LED 驱动器的关键部件，提高 LED 照明系统的效率和寿命。

* 通信设备：用于实现高速信号的传输和处理。

* 其他高性能应用：例如数据采集、自动控制等领域。

五、封装介绍

NCEP01ND35AG 采用 DFN-8 (4.9x5.8) 封装，该封装具有以下特点：

* 尺寸小巧：DFN-8 封装尺寸仅为 4.9x5.8mm，节省电路板空间。

* 引脚间距小：引脚间距仅为 0.5mm，适合高密度电路板设计。

* 耐用性强：DFN-8 封装具有良好的耐用性，能够承受各种环境冲击和振动。

* 散热性好：该封装具有良好的散热性能，能够有效地散发器件工作时产生的热量。

六、注意事项

* 使用 NCEP01ND35AG 时，需注意器件的额定电压和电流，避免过载或电压过高。

* 在使用前，请仔细阅读产品手册，了解器件的具体参数和应用注意事项。

* 应注意器件的静电防护，防止静电损坏器件。

七、总结

NCEP01ND35AG 是一款性能优异的 N 沟道增强型 MOSFET，其低导通电阻、高电流能力、高速开关速度等特点使其成为各种高性能应用的理想选择。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、LED 照明、通信设备等领域。选择 NCEP01ND35AG，可以有效地提高系统的工作效率、可靠性和性能。

场效应管(MOSFET) NCEP01ND35AG DFN-8(4.9x5.8)中文介绍，新洁能(NCE)

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