场效应管(MOSFET) FERD30M45CG-TR D2PAK中文介绍，意法半导体(ST)

更新时间：2025-12-17

STMicroelectronics FERD30M45CG-TR D2PAK 场效应管详细介绍

概述

FERD30M45CG-TR D2PAK 是一款由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。它采用 D2PAK 封装，在高频应用中提供低导通电阻 (RDS(on)) 和出色的性能。该器件广泛应用于各种领域，包括电源管理、电机控制、电源转换器等。

主要特性

* N 沟道增强型 MOSFET：采用 N 型硅基底制造，需要正向栅极电压才能开启导通。

* D2PAK 封装：提供紧凑、易于安装的封装形式，适合表面贴装 (SMT) 和通孔 (THT) 应用。

* 低导通电阻 (RDS(on))：在额定电流下，导通电阻较低，有助于减少功率损耗。

* 高频性能：能够在高频条件下保持良好的性能，适合开关电源等应用。

* 高耐压值：能够承受较高的电压，确保器件在高压环境下的可靠性。

* 低栅极电荷 (Qg)：快速开关速度，有助于提高电源转换效率。

* 工作温度范围：可在 -55°C 至 150°C 的工作温度范围内可靠运行。

器件参数

以下表格列出了 FERD30M45CG-TR D2PAK 的主要参数：

| 参数 | 值 | 单位 |

|---|---|---|

| 漏极-源极耐压 (VDSS) | 450 | V |

| 导通电阻 (RDS(on)) | 30 | mΩ |

| 栅极-源极电压 (VGS(th)) | 2.5 | V |

| 漏极电流 (ID) | 30 | A |

| 栅极电荷 (Qg) | 150 | nC |

| 工作温度范围 | -55°C 至 150°C | °C |

| 封装类型 | D2PAK | - |

应用领域

FERD30M45CG-TR D2PAK 适用于各种应用领域，包括：

* 电源管理：在电源转换器、电源适配器和电池充电器中实现电压调节和功率转换。

* 电机控制：在电机驱动器、变速电机控制器和伺服系统中实现电机控制。

* 电源转换器：在开关电源、逆变器和 DC-DC 转换器中实现高效功率转换。

* 其他应用：LED 照明、太阳能系统、电焊机等。

内部结构和工作原理

FERD30M45CG-TR D2PAK 内部结构主要由以下部分组成：

* 源极 (S)：MOSFET 的一个端子，电流从源极流出。

* 漏极 (D)：MOSFET 的另一个端子，电流流入漏极。

* 栅极 (G)：控制 MOSFET 导通的端子，栅极电压决定漏极电流的大小。

* 沟道 (Channel)：源极和漏极之间的导电通道，由栅极电压控制。

* 氧化层 (Oxide)：位于栅极和沟道之间，起到绝缘作用。

* 衬底 (Substrate)：MOSFET 的基底，通常为 N 型硅。

MOSFET 的工作原理基于场效应控制电流：

1. 当栅极电压为 0 或小于阈值电压 (VGS(th)) 时，沟道关闭，漏极电流为 0。

2. 当栅极电压大于阈值电压时，栅极电场在沟道中形成一个电子积累区，形成导电通道。

3. 沟道中的电流大小由栅极电压控制，电压越高，电流越大。

4. 漏极电流与漏极-源极电压 (VDS) 成正比，与导通电阻 (RDS(on)) 成反比。

优势和特点

与其他类型的功率器件相比，FERD30M45CG-TR D2PAK 具有以下优势：

* 低导通电阻：降低了功率损耗，提高了效率。

* 高频性能：适合高速开关应用，提高了系统效率。

* 高耐压值：能够在高压环境下安全可靠地运行。

* D2PAK 封装：紧凑、易于安装，适合各种应用。

* 低栅极电荷：快速开关速度，有助于提高电源转换效率。

注意事项

在使用 FERD30M45CG-TR D2PAK 时，需要考虑以下注意事项：

* 热量管理：该器件在工作时会产生热量，需要采取措施进行散热，以确保器件安全可靠地工作。

* 静态电荷：该器件对静电敏感，在操作过程中需要采取防静电措施，避免静电损坏器件。

* 过载保护：在实际应用中，需要考虑过流、过压和短路保护，以确保器件安全可靠地工作。

* 使用环境：该器件的工作温度范围有限，需要根据实际应用环境进行选择。

* 使用寿命：该器件的使用寿命有限，需要定期检查和维护，以确保器件正常运行。

总结

FERD30M45CG-TR D2PAK 是一款高性能、低导通电阻的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于各种电源管理、电机控制和电源转换应用。它具有高耐压值、高频性能和低栅极电荷等优点，在实际应用中具有广泛的适用性。在使用该器件时，需要关注热量管理、静电保护和过载保护等问题，以确保器件安全可靠地运行。

场效应管(MOSFET) FERD30M45CG-TR D2PAK中文介绍，意法半导体(ST)

推荐阅读

联系我们