场效应管(MOSFET) STB11NK50ZT4 D2PAK中文介绍，意法半导体(ST)

更新时间：2025-12-17

意法半导体 STB11NK50ZT4 D2PAK 场效应管 - 性能分析与应用

STB11NK50ZT4 是一款由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 D2PAK 封装。该器件以其高耐压、低导通电阻、快速开关速度等优异性能，广泛应用于各种需要高效率功率转换的场合。

一、器件参数与特性

STB11NK50ZT4 的主要参数如下：

* 耐压 (V_DSS)：500V

* 导通电阻 (R_DS(on))：11 mΩ (V_GS = 10V, I_D = 10A)

* 最大电流 (I_D)：110A (脉冲)

* 工作温度 (T_j)：175℃

* 封装类型: D2PAK

* 开关速度: 典型上升时间 (t_r) = 13 ns, 典型下降时间 (t_f) = 30 ns

* 栅极驱动电压 (V_GS)：10V

二、器件结构与工作原理

STB11NK50ZT4 采用 N 沟道增强型 MOSFET 结构，其主要组成部分包括：

* 衬底: 掺杂硅材料，形成 P 型半导体。

* 沟道: 在衬底表面形成的 N 型半导体区域。

* 源极: 沟道的一端，连接负极。

* 漏极: 沟道的另一端，连接正极。

* 栅极: 位于沟道上方的一层绝缘层 (氧化层) 和一层金属层。

当栅极电压 (V_GS) 为零时，沟道被“关闭”，电流无法通过。当 V_GS 逐渐升高，到达一定的阈值电压 (V_th) 时，沟道被“打开”，电流开始通过。随着 V_GS 的进一步升高，沟道电流 (I_D) 逐渐增大。

三、性能分析与优势

STB11NK50ZT4 拥有以下显著优势：

* 高耐压: 500V 的耐压等级可以承受高电压环境，适用于电源转换、电机驱动等应用。

* 低导通电阻: 11 mΩ 的低导通电阻可以有效降低功耗，提高转换效率。

* 快速开关速度: 13 ns 的上升时间和 30 ns 的下降时间保证了快速开关特性，适用于高速开关应用。

* 高电流承载能力: 110A 的脉冲电流承载能力可以满足高功率应用需求。

* D2PAK 封装: D2PAK 封装体积小巧，散热性能良好，方便安装和使用。

四、应用领域

STB11NK50ZT4 广泛应用于以下领域：

* 电源转换: 适用于 AC/DC 转换器、DC/DC 转换器、电源模块等应用。

* 电机驱动: 适用于直流电机、交流电机、步进电机等驱动电路。

* 太阳能逆变器: 适用于光伏系统中的逆变器电路。

* 焊接机: 适用于电弧焊接机、点焊机等设备。

* 充电器: 适用于手机充电器、笔记本电脑充电器等设备。

五、典型应用电路

以下是 STB11NK50ZT4 的典型应用电路：

* 直流电机驱动电路: 使用 STB11NK50ZT4 作为功率开关，通过控制栅极电压来控制电机转速。

* 开关电源电路: 使用 STB11NK50ZT4 作为开关管，实现电源转换功能。

* 太阳能逆变器电路: 使用 STB11NK50ZT4 作为逆变器中的功率开关，将直流电转换为交流电。

六、注意事项

* 使用 STB11NK50ZT4 时，需注意其工作温度范围，避免过热导致器件损坏。

* 需使用合适的驱动电路来驱动 STB11NK50ZT4，确保栅极驱动电压和电流符合要求。

* 在使用过程中，需要根据实际应用需求选择合适的散热方案，确保器件正常工作。

七、总结

STB11NK50ZT4 是一款性能优异的功率 MOSFET，凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关速度等优势，广泛应用于各种需要高效率功率转换的场合。未来，随着电力电子技术的发展，STB11NK50ZT4 及其系列产品将会在更多领域得到应用，为社会发展做出更大的贡献。

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