数字晶体管 LDTC114EET1G SC-89(SOT-523) NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,HFE=35-60

更新时间：2025-12-17

LDTC114EET1G SC-89(SOT-523) NPN晶体管深度解析

LDTC114EET1G是一款由ON Semiconductor生产的 NPN型晶体管，封装形式为 SC-89(SOT-523)，拥有 50V 的集电极-发射极电压 (Vceo)、100mA 的集电极电流 (Ic) 和 35-60 的电流放大倍数 (HFE)。这款晶体管被广泛应用于各种电子电路，包括音频放大器、开关电源、电机控制系统等。

一、产品规格参数

| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---|---|---|---|---|

| 集电极-发射极电压 | Vceo | - | 50 | V |

| 集电极电流 | Ic | - | 100 | mA |

| 基极电流 | Ib | - | 10 | mA |

| 电流放大倍数 | HFE | 35 | 60 | - |

| 集电极-基极电压 | Vcbo | - | 60 | V |

| 发射极-基极电压 | Veb | - | 6 | V |

| 功率损耗 | Pd | - | 0.3 | W |

| 工作温度范围 | T | - | -55~150 | ℃ |

| 封装形式 | - | - | SC-89(SOT-523) | - |

二、晶体管工作原理

LDTC114EET1G 属于 NPN 型晶体管，内部结构由三个部分组成：发射极 (Emitter)、基极 (Base) 和集电极 (Collector)。发射极通常为 N 型半导体，基极通常为 P 型半导体，集电极通常为 N 型半导体。

晶体管的电流放大特性基于基极电流对集电极电流的控制。当基极电流很小的时候，集电极电流也很小；当基极电流逐渐增大时，集电极电流也随之线性增大，并且集电极电流比基极电流大得多，这就是晶体管的电流放大作用。

三、主要特性

* 高电压耐受性 (Vceo=50V)：LDTC114EET1G 可以承受较高的集电极-发射极电压，适用于高压电路应用。

* 中等电流容量 (Ic=100mA)：该晶体管可以承载中等大小的集电极电流，适用于各种电流要求的电路。

* 稳定的电流放大倍数 (HFE=35-60)：该晶体管的电流放大倍数相对稳定，可以提供可靠的电流放大性能。

* 小型封装 (SC-89(SOT-523))：该晶体管采用小型封装，节省电路板空间，适合高密度电路设计。

* 工作温度范围广 (-55~150 ℃)：该晶体管可以在较宽的温度范围内正常工作，适用于各种环境应用。

四、应用领域

LDTC114EET1G 是一款通用型 NPN 晶体管，在许多电子电路中都有广泛应用，例如：

* 音频放大器：可以用作音频信号放大器，实现声音的放大和增强。

* 开关电源：可以用作开关电源中的开关元件，实现直流电的转换和调节。

* 电机控制系统：可以用作电机控制系统的驱动器，实现电机速度和方向的控制。

* 其他应用：除了以上几种应用外，LDTC114EET1G 也被广泛应用于各种电子电路，例如逻辑门电路、电压比较器、定时器等。

五、使用注意事项

* 散热：在实际应用中，需要注意晶体管的散热问题，可以根据实际情况选择合适的散热方式。

* 工作电压：应严格控制晶体管的工作电压，避免超过额定电压，以免造成损坏。

* 工作电流：应严格控制晶体管的工作电流，避免超过额定电流，以免造成损坏。

* 基极电流：基极电流是控制集电极电流的关键因素，需要根据实际应用情况进行设计。

* 封装形式：应选择与电路板设计相匹配的封装形式，并注意封装的尺寸和引脚排列。

六、总结

LDTC114EET1G 是一款性能稳定，应用广泛的 NPN 型晶体管，在许多电子电路中都有重要的应用价值。该晶体管具有高电压耐受性、中等电流容量、稳定电流放大倍数、小型封装和工作温度范围广等优点，能够满足各种电路设计需求。在使用过程中，应注意散热、工作电压、工作电流、基极电流和封装形式等因素，以确保晶体管的正常工作和长寿命。

数字晶体管 LDTC114EET1G SC-89(SOT-523) NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,HFE=35-60

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