场效应管(MOSFET) IRF8736TRPBF SOP-8中文介绍，英飞凌(INFINEON)

更新时间：2025-12-17

英飞凌 IRF8736TRPBF SOP-8 场效应管（MOSFET）深度解析

一、产品概述

IRF8736TRPBF 是一款由英飞凌科技公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOP-8 封装。这款 MOSFET 具有低导通电阻 (RDS(on))、高电流承载能力、快速开关速度以及低功耗等优点，使其适用于多种电源转换应用场景，例如：

* 电源管理： DC/DC 转换器、电源适配器、逆变器等。

* 电机驱动：无刷电机控制器、步进电机驱动器等。

* 照明系统： LED 驱动器等。

* 其他应用：焊接设备、医疗设备等。

二、产品特性

* N 沟道增强型 MOSFET: 导通状态需要栅极电压控制。

* 低导通电阻 (RDS(on)): 典型值仅为 12.5mΩ，在相同电流下，可以有效降低功耗。

* 高电流承载能力: 连续电流为 13A，脉冲电流更高，能够满足多种应用场景的电流需求。

* 快速开关速度: 具有较低的输入电容和输出电容，能够快速响应信号，降低开关损耗。

* 低功耗: 低 RDS(on) 和快速的开关速度可以有效降低功耗。

* SOP-8 封装: 小型封装，易于安装和使用，适合高密度 PCB 设计。

三、产品参数

| 参数 | 典型值 | 单位 |

|---------------------------------|-----------------|-------------|

| 导通电阻 (RDS(on)) | 12.5mΩ | Ω |

| 漏极电流 (ID) | 13A | A |

| 栅极电压 (VGS(th)) | 2V | V |

| 最大漏极-源极电压 (VDSS) | 60V | V |

| 最大栅极-源极电压 (VGSS) | ±20V | V |

| 输入电容 (Ciss) | 1100pF | pF |

| 输出电容 (Coss) | 100pF | pF |

| 反向传输电容 (Crss) | 50pF | pF |

| 开关速度 (ton, toff) | 15ns, 25ns | ns |

| 功耗 (PD) | 2.2W | W |

| 工作温度范围 (Tj) | -55℃ ~ +175℃ | ℃ |

| 封装 | SOP-8 | |

四、产品优势

* 低导通电阻: 有效降低功耗，提升效率。

* 高电流承载能力: 满足高功率应用需求。

* 快速开关速度: 降低开关损耗，提升效率。

* 低功耗: 降低能耗，提升系统性能。

* 小型封装: 方便设计和使用。

五、产品应用

* 电源管理:

* DC/DC 转换器：用于将直流电压转换为不同电压，应用于各种电子设备。

* 电源适配器：用于将交流电压转换为直流电压，为电子设备供电。

* 逆变器：用于将直流电压转换为交流电压，应用于离网太阳能系统、UPS 等。

* 电机驱动:

* 无刷电机控制器：控制无刷电机的转速和方向，广泛应用于汽车、机器人、工业自动化等领域。

* 步进电机驱动器：控制步进电机的步进和方向，应用于数控机床、打印机等。

* 照明系统:

* LED 驱动器：用于驱动 LED 灯，实现高效率和长寿命的照明。

* 其他应用:

* 焊接设备：用于控制焊接电流，实现精确焊接。

* 医疗设备：用于控制医疗设备的功率和电流，提高安全性。

六、产品原理

IRF8736TRPBF 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理如下：

* 结构: MOSFET 的核心结构包含三个部分：源极 (Source)、漏极 (Drain) 和栅极 (Gate)。源极和漏极之间连接着 N 型硅通道，栅极则通过绝缘层控制着 N 型硅通道的导通与关闭。

* 导通: 当栅极施加正电压时，电场会在栅极和通道之间形成，吸引通道中的电子，形成导通通道，电流可以通过 MOSFET 流过。

* 关闭: 当栅极电压低于阈值电压时，电场减弱，通道中的电子减少，通道关闭，电流无法通过 MOSFET 流过。

七、产品选型

在选择 IRF8736TRPBF 或其他 MOSFET 时，需要考虑以下因素：

* 电流承载能力: 选择能够满足应用场景电流需求的 MOSFET。

* 导通电阻: 选择具有低导通电阻的 MOSFET，能够有效降低功耗。

* 开关速度: 选择具有快速开关速度的 MOSFET，能够提高效率和降低损耗。

* 电压承受能力: 选择能够承受应用场景电压的 MOSFET。

* 封装形式: 选择适合应用场景的封装形式。

八、产品使用注意事项

* 在使用 MOSFET 时，必须注意栅极电压和电流的限制，避免超过器件的额定参数，导致器件损坏。

* 在使用 MOSFET 进行开关操作时，要选择合适的驱动电路，保证其驱动电流足够大，能够快速打开和关闭 MOSFET。

* 在使用 MOSFET 进行高频开关操作时，要注意器件的开关速度和功耗，避免出现过高的开关损耗。

九、总结

英飞凌 IRF8736TRPBF 是一款性能优异的 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力、快速开关速度和低功耗等优势，使其适用于多种电源转换应用场景。在选型使用时，需根据应用需求选择合适的 MOSFET，并注意使用注意事项，确保其正常工作和可靠性。

十、参考资料

* Infineon 官网：/

* IRF8736TRPBF 产品数据手册：?fileId=5559841224900781374

场效应管(MOSFET) IRF8736TRPBF SOP-8中文介绍，英飞凌(INFINEON)

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