场效应管(MOSFET) IRFH5007TRPBF QFN

更新时间：2025-12-17

场效应管 (MOSFET) IRFH5007TRPBF QFN 深度解析

一、简介

IRFH5007TRPBF QFN 是一款由国际整流器公司 (International Rectifier) 生产的高性能 N 沟道功率 MOSFET。它采用 QFN 封装，拥有 5.5 mΩ 的低导通电阻 (RDS(ON)) 和 200V 的额定电压，使其成为电源管理、电机驱动、电源转换等应用的理想选择。

二、特点

* 低导通电阻 (RDS(ON))： 5.5 mΩ 的低 RDS(ON) 能够最大程度地降低功率损耗，提高转换效率。

* 高额定电压： 200V 的额定电压能够确保在高电压环境下可靠运行。

* 快速开关速度：较快的开关速度能够实现高频转换，提高效率并减小体积。

* 低栅极电荷 (Qg)：低 Qg 能够减少开关损耗，降低功耗。

* QFN 封装： QFN 封装体积小，便于安装，适合空间有限的应用。

三、结构与工作原理

IRFH5007TRPBF QFN 是一款 N 沟道 MOSFET，其内部结构包括：

* 源极 (Source)：电子流入的端点。

* 漏极 (Drain)：电子流出的端点。

* 栅极 (Gate)：控制漏极电流的端点。

* 沟道 (Channel)：连接源极和漏极的半导体通道。

* 氧化层 (Oxide)：隔离栅极和沟道之间的绝缘层。

* 体 (Body)： MOSFET 的半导体基底。

当栅极电压 (VGS) 大于阈值电压 (Vth) 时，在沟道中形成电流路径，允许电流从源极流向漏极。栅极电压决定沟道中电子数量，从而控制漏极电流。

四、关键参数

* 额定电压 (VDS)： 200V

* 导通电阻 (RDS(ON))： 5.5 mΩ

* 栅极阈值电压 (Vth)： 2.5V

* 最大电流 (ID)： 100A

* 最大功率损耗 (PD)： 170W

* 结温 (TJ)： 175℃

* 封装类型： QFN

五、应用领域

IRFH5007TRPBF QFN 广泛应用于各种电子设备，例如：

* 电源管理：电源转换器、DC/DC 转换器、电池充电器

* 电机驱动：直流电机驱动器、交流电机驱动器

* 电源转换：逆变器、整流器、UPS

* 工业设备：焊接机、切割机、起重机

* 消费电子：笔记本电脑电源、移动电源、无线充电器

六、优势与劣势

优势：

* 低导通电阻：降低功率损耗，提高效率。

* 高额定电压：在高电压环境下可靠运行。

* 快速开关速度：实现高频转换，提高效率和降低体积。

* 低栅极电荷：减少开关损耗，降低功耗。

* QFN 封装：体积小，便于安装，适合空间有限的应用。

劣势：

* 价格较高：由于其高性能，价格相对较高。

* 对静电敏感：由于其高压特性，对静电敏感，需要采取防静电措施。

七、使用注意事项

* 使用前请仔细阅读产品手册，了解产品特性和使用规范。

* 确保器件连接正确，避免反向连接或短路。

* 避免器件承受过高的电压或电流。

* 保持器件的清洁和干燥。

* 在使用过程中注意散热，避免器件过热。

* 使用合适的驱动电路控制器件开关，确保可靠运行。

八、总结

IRFH5007TRPBF QFN 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，拥有低导通电阻、高额定电压和快速开关速度等优势，使其成为各种高功率应用的理想选择。在使用时需注意使用注意事项，确保安全可靠地运行。

九、相关知识

* MOSFET： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管。

* RDS(ON)： On-State Resistance，导通电阻，表示器件处于导通状态时的电阻。

* Vth： Threshold Voltage，阈值电压，指栅极电压达到一定值时才能开启 MOSFET 的最小电压。

* Qg： Gate Charge，栅极电荷，指栅极积累的电荷量，影响开关速度和功耗。

* QFN： Quad Flat No-Lead，四边扁平无引线封装，是一种体积小、便于安装的封装形式。

十、其他信息

* 制造商：国际整流器公司 (International Rectifier)

* 产品手册：可从国际整流器公司网站获取。

* 替代型号： IRFH5007S、IRFH5007PBF

十一、附录

* IRFH5007TRPBF QFN 产品手册链接 (请自行搜索)。

注意：以上信息仅供参考，具体参数和使用细节请以产品手册为准。

场效应管(MOSFET) IRFH5007TRPBF QFN

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