栅极驱动IC IRS21867STRPBF SOP-8

栅极驱动IC IRS21867STRPBF SOP-8：深入解析

概述

IRS21867STRPBF是一款高性能的栅极驱动IC，采用SOP-8封装，专为高压功率开关应用而设计。它具有高速开关速度、高电流驱动能力以及多种保护功能，能够满足现代功率电子应用对可靠性和效率的需求。

特点

* 高速开关速度: 典型的上升/下降时间为50ns，能够实现快速的开关转换，提高效率并降低开关损耗。

* 高电流驱动能力: 输出电流峰值可达±2A，能够驱动高压功率MOSFET或IGBT，满足高功率应用的需求。

* 多种保护功能: 包括欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)和短路保护(SCP)，确保器件和系统的安全运行。

* 灵活的配置: 独立的栅极驱动控制，可用于各种不同的应用。

* 低功耗: 静态功耗极低，能够有效提高系统效率。

* SOP-8封装: 小巧的封装尺寸，方便在各种电路板中使用。

应用

IRS21867STRPBF适用于各种高压功率开关应用，例如：

* 电源转换: 离线电源、开关电源、太阳能逆变器等。

* 电机控制: 变频器、电机驱动器等。

* 照明: LED驱动器等。

* 焊接设备: 逆变焊机等。

技术规格

以下列出了IRS21867STRPBF的主要技术规格：

| 特性 | 规格 |

|---|---|

| 栅极驱动电压 | ±20V |

| 输出电流 | ±2A |

| 开关速度 | 典型上升/下降时间：50ns |

| 欠压锁定(UVLO) | 9V |

| 过温保护(OTP) | 150℃ |

| 短路保护(SCP) | |

| 静态电流 | 典型值：3mA |

| 工作温度 | -40℃到+150℃ |

| 封装 | SOP-8 |

电路原理

IRS21867STRPBF内部包含两个独立的栅极驱动器，每个驱动器都包含一个高压N沟道MOSFET和一个低压P沟道MOSFET。这些MOSFET被用来产生高电流的驱动脉冲，以控制外部功率MOSFET或IGBT的开关。

工作原理

当输入逻辑信号为高电平时，高压N沟道MOSFET导通，将栅极电压驱动到高电平，使外部功率MOSFET或IGBT导通。当输入逻辑信号为低电平时，低压P沟道MOSFET导通，将栅极电压驱动到低电平，使外部功率MOSFET或IGBT关断。

应用电路

下图所示为IRS21867STRPBF的典型应用电路，用于控制一个半桥功率开关：

[插入IRS21867STRPBF应用电路图]

在该电路中，IRS21867STRPBF的两个栅极驱动器分别控制着半桥的两个开关管。通过控制驱动器的输入信号，可以实现对开关管的开关控制，进而实现对功率开关的控制。

选型指南

选择栅极驱动IC时，需要考虑以下因素：

* 驱动电压: 确保驱动电压符合外部功率MOSFET或IGBT的栅极驱动电压要求。

* 驱动电流: 确保驱动电流能够满足外部功率MOSFET或IGBT的栅极驱动电流需求。

* 开关速度: 考虑应用的频率要求，选择具有足够快开关速度的驱动IC。

* 保护功能: 根据应用的安全性需求，选择具有必要的保护功能的驱动IC。

总结

IRS21867STRPBF是一款功能强大的栅极驱动IC，具有高速开关速度、高电流驱动能力以及多种保护功能，能够满足各种高压功率开关应用的需求。对于需要快速响应、可靠性和高效率的应用来说，IRS21867STRPBF是一个理想的选择。

注意事项

* 使用IRS21867STRPBF时，需要仔细阅读其数据手册，确保正确使用。

* 注意驱动电压和电流的限制，避免损坏器件。

* 在使用IRS21867STRPBF驱动高压功率MOSFET或IGBT时，需要采取必要的安全措施，防止高压击穿。

栅极驱动IC IRS21867STRPBF SOP-8

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