达林顿管 MJD112 TO-252-2L(4R)中文介绍，长电/长晶(JCET)

达林顿管 MJD112 TO-252-2L(4R) 中文介绍：长电/长晶 (JCET)

一、产品概述

达林顿管 MJD112 是一款由长电/长晶 (JCET) 生产的高功率 NPN 达林顿晶体管，采用 TO-252-2L(4R) 封装。它被广泛应用于音频放大器、开关电源、电机控制等领域，以其高电流、高电压、低饱和压降和高功率处理能力著称。

二、产品特性

MJD112 拥有以下主要特性：

* 高电流容量：最大集电极电流 (IC) 为 10A，满足高电流应用需求。

* 高电压耐受性：最大集电极-发射极电压 (VCEO) 为 100V，能够承受高压环境。

* 低饱和压降：饱和压降 (VCE(sat)) 典型值为 1.5V，有效降低功率损耗。

* 高功率处理能力：最大功耗 (PD) 为 125W，适用于高功率应用场景。

* TO-252-2L(4R) 封装：该封装形式具有良好的散热性能，适合大功率应用。

* 稳定可靠：采用长电/长晶 (JCET) 的先进制造工艺，确保产品的高可靠性。

三、技术参数

以下列出 MJD112 的主要技术参数：

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---|---|---|---|

| 集电极电流 (IC) | - | 10 | A |

| 集电极-发射极电压 (VCEO) | - | 100 | V |

| 集电极-基极电压 (VCBO) | - | 120 | V |

| 发射极-基极电压 (VEBO) | - | 6 | V |

| 基极电流 (IB) | - | 1 | A |

| 饱和压降 (VCE(sat)) | 1.5 | 2 | V |

| 功率耗散 (PD) | - | 125 | W |

| 结温 (Tj) | - | 150 | °C |

| 存储温度 (Tstg) | - | -55 ~ +150 | °C |

四、应用领域

MJD112 广泛应用于各种电子设备，包括：

* 音频放大器：用于构建高功率音频放大器，实现高质量音效。

* 开关电源：作为开关电源的功率开关管，实现高效率的电源转换。

* 电机控制：用于控制电机驱动电路，实现精准的电机控制。

* 其他高功率应用：例如工业控制、焊接设备、医疗设备等。

五、长电/长晶 (JCET)

长电/长晶 (JCET) 作为全球领先的半导体封装和测试服务供应商，拥有强大的技术实力和先进的生产设施。其产品质量和可靠性得到广泛认可，MJD112 作为其众多高品质产品之一，也因此享有良好的市场口碑。

六、选型建议

在选择 MJD112 时，需要根据实际应用需求考虑以下因素：

* 电流容量：根据负载电流大小选择合适的电流容量。

* 电压耐受性：根据电源电压选择合适的电压耐受性。

* 散热：选择合适的散热方式，保证器件的正常工作。

* 封装形式：根据电路板空间选择合适的封装形式。

七、总结

达林顿管 MJD112 是一款高性能、高可靠性的功率晶体管，广泛应用于各种电子设备。其高电流容量、高电压耐受性、低饱和压降和高功率处理能力使其成为高功率应用的理想选择。长电/长晶 (JCET) 的先进制造工艺确保了产品的稳定性和可靠性，使其成为电子行业值得信赖的功率晶体管产品。

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