场效应管(MOSFET) R6020JNZC8 TO-247中文介绍，罗姆(ROHM)

更新时间：2025-12-17

罗姆 R6020JNZC8 TO-247 场效应管：性能与应用

一、产品概述

R6020JNZC8 是由罗姆(ROHM)公司生产的 N沟道增强型 MOSFET，采用 TO-247 封装。该器件以其高电流容量、低导通电阻和快速开关速度著称，广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动等领域。

二、关键参数与特性

* N沟道增强型 MOSFET: 属于 N 沟道类型，这意味着导电通道由电子形成，需要施加正电压（栅极电压）才能打开导通通道。

* TO-247 封装: 是一种常见的 TO 封装，具有良好的散热性能，适用于高功率应用。

* 高电流容量: R6020JNZC8 具有高达 80A 的连续电流容量，能够承受大电流负载。

* 低导通电阻: 导通电阻仅为 2.0 毫欧，有效降低了器件的功率损耗。

* 快速开关速度: 具有快速的开关速度，适合高速开关应用。

* 工作电压: 最大工作电压为 60V。

* 工作温度: 工作温度范围为 -55°C 到 +150°C，适应各种环境温度。

三、内部结构与工作原理

R6020JNZC8 的内部结构包含栅极、源极、漏极、衬底等部件。

* 栅极 (Gate): 控制导通通道开关的电极，施加电压以控制电流流动。

* 源极 (Source): 电流流入器件的电极。

* 漏极 (Drain): 电流流出器件的电极。

* 衬底 (Substrate): 构成器件的基础材料，通常由硅制成。

当栅极电压低于阈值电压时，导通通道关闭，器件处于截止状态。当栅极电压高于阈值电压时，导通通道打开，电流能够从源极流向漏极。

四、主要应用领域

R6020JNZC8 凭借其优异的性能，广泛应用于各种电子设备和系统中，包括：

* 电源管理: 用于 DC-DC 转换器、电源开关、电源调节等，实现高效的电源转换和控制。

* 电机驱动: 用于电机驱动电路，实现对电机速度、扭矩等参数的精确控制。

* 工业控制: 用于工业设备的控制电路，例如焊接机、切割机、伺服系统等。

* 汽车电子: 用于汽车电子系统，例如车灯控制、电机控制、电池管理等。

* 其他应用: 还可用于通信设备、数据中心、智能家居等领域。

五、产品优势与特点

* 高电流容量：能够承受大电流负载，满足高功率应用需求。

* 低导通电阻：有效降低器件的功率损耗，提高系统效率。

* 快速开关速度：适合高速开关应用，提高系统响应速度。

* 工作温度范围广：能够适应各种环境温度，提高器件的可靠性。

* TO-247 封装：具有良好的散热性能，适合高功率应用。

六、技术指标

| 参数 | 指标 | 单位 |

|---|---|---|

| 导通电阻 (R_DS(on)) | 2.0 | 毫欧 |

| 连续电流容量 (I_D) | 80 | A |

| 脉冲电流容量 (I_Dp) | 160 | A |

| 栅极阈值电压 (V_GS(th)) | 2.5 | V |

| 最大工作电压 (V_DSS) | 60 | V |

| 工作温度范围 | -55°C 到 +150°C | °C |

七、封装信息

R6020JNZC8 采用 TO-247 封装，尺寸为 24.9mm x 18.8mm x 10.2mm。

八、注意事项

* 在使用 R6020JNZC8 时，应注意以下事项：

* 确保器件的安装符合 TO-247 封装的规范。

* 注意器件的工作电压和电流限制。

* 选择合适的散热器，以确保器件能够有效散热。

* 在使用过程中，应避免器件过热或过载。

* 使用前请参考 ROHM 公司提供的产品数据手册，了解详细的应用信息。

九、结语

R6020JNZC8 是一款性能优异的 N 沟道增强型 MOSFET，在各种高功率应用中展现出其优势。其高电流容量、低导通电阻和快速开关速度，使其成为工业控制、电源管理、电机驱动等领域的理想选择。在选择和使用该器件时，应仔细阅读产品数据手册，确保正确使用和操作。

场效应管(MOSFET) R6020JNZC8 TO-247中文介绍，罗姆(ROHM)

推荐阅读

联系我们