场效应管(MOSFET) DMN21D2UFB-7B X1-DFN1006-3中文介绍，美台(DIODES)

更新时间：2025-12-16

美台(DIODES)场效应管 DMN21D2UFB-7B X1-DFN1006-3 中文介绍

一、产品概述

DMN21D2UFB-7B X1-DFN1006-3 是一款由美台(DIODES)公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的 DFN1006-3 封装。该器件具有超低导通电阻、高电流承载能力、快速的开关速度和出色的可靠性，适用于各种电源管理、电机驱动、负载开关和信号放大等应用。

二、产品特性

* 类型: N 沟道增强型 MOSFET

* 封装: DFN1006-3

* 额定电压: 20V

* 最大电流: 2.1A

* 导通电阻: 12mΩ (最大)

* 栅极阈值电压: 1.5V - 3V

* 工作温度: -55℃~+150℃

* 特性: 超低导通电阻、高电流承载能力、快速的开关速度、出色的可靠性

三、技术参数

| 参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |

|------------------------------------ |--------|--------|--------|------|-----------------------------------------------|

| 漏极-源极击穿电压 | V_DSS | 20 | - | V | V_GS = 0V |

| 栅极-源极击穿电压 | V_GSS | 20 | - | V | V_DS = 0V |

| 漏极电流 | I_D | - | 2.1 | A | V_GS = 10V, V_DS = 10V |

| 导通电阻 | R_DS(on) | - | 12 | mΩ | V_GS = 10V, V_DS = 10V |

| 栅极阈值电压 | V_th | 1.5 | 3 | V | I_D = 1mA, V_DS = 10V |

| 输入电容 | C_iss | - | 60 | pF | V_DS = 0V, f = 1MHz |

| 输出电容 | C_oss | - | 40 | pF | V_DS = 0V, f = 1MHz |

| 反向转移电容 | C_rss | - | 3 | pF | V_DS = 0V, f = 1MHz |

| 漏极-源极切换时间 (上升时间) | t_r | - | 12 | ns | V_DS = 10V, V_GS = 10V, I_D = 1A |

| 漏极-源极切换时间 (下降时间) | t_f | - | 15 | ns | V_DS = 10V, V_GS = 10V, I_D = 1A |

| 栅极电荷 | Q_g | - | 20 | nC | V_GS = 10V, V_DS = 0V |

| 最大结温 | T_j | - | 150 | ℃ | - |

| 工作温度范围 | T_op | -55 | 150 | ℃ | - |

四、产品优势

* 超低导通电阻: 仅 12mΩ 的低导通电阻，有效降低功耗，提高效率。

* 高电流承载能力: 最大 2.1A 的电流承载能力，满足高电流应用需求。

* 快速开关速度: 12ns 的上升时间和 15ns 的下降时间，确保快速响应和高效的开关切换。

* 出色的可靠性: 严格的质量控制和测试，确保产品的可靠性和稳定性。

* DFN1006-3 封装: 小巧的封装尺寸，节省空间，适用于各种紧凑型应用。

五、应用领域

* 电源管理: DC-DC 转换器、电源开关、电池管理

* 电机驱动: 小型电机驱动、步进电机驱动

* 负载开关: 电源负载切换、信号路径切换

* 信号放大: 信号放大电路、音频放大电路

* 其他应用: 其他需要高速开关、低导通电阻的应用

六、电路设计

DMN21D2UFB-7B X1-DFN1006-3 的典型应用电路如下：

图 1: DMN21D2UFB-7B 作为开关电路

![DMN21D2UFB-7B 开关电路](开关电路.png)

该电路利用 DMN21D2UFB-7B 作为开关，通过控制栅极电压，实现对负载电流的通断控制。

七、注意事项

* 使用时需注意产品额定电压和电流，避免过载。

* 栅极驱动信号需符合要求，避免过大的驱动电压。

* 注意散热，避免器件过热损坏。

* 使用合适的 PCB 布线，避免寄生电感影响性能。

八、结语

DMN21D2UFB-7B X1-DFN1006-3 是一款性能优越的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于各种需要高速开关、低导通电阻的应用。其超低导通电阻、高电流承载能力、快速开关速度和出色的可靠性，使其成为各种电源管理、电机驱动、负载开关和信号放大等应用的理想选择。

九、相关信息

* 美台(DIODES)公司官网：/

* 产品数据手册：

场效应管(MOSFET) DMN21D2UFB-7B X1-DFN1006-3中文介绍，美台(DIODES)

推荐阅读

联系我们