美台DMP32D4SW-7 SOT-323-3 场效应管(MOSFET)详细介绍
一、概述
DMP32D4SW-7 是一款由美台(DIODES)公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-323-3 封装。它是一种低压、超低RDS(on) 的功率 MOSFET,非常适用于电池供电的应用,例如便携式电子设备、消费类产品和工业控制系统。
二、产品特性
* 低压工作电压: DMP32D4SW-7 的最大栅极-源极电压 (VGS) 仅为 20V,非常适用于低压应用。
* 超低导通电阻: 其导通电阻 (RDS(on)) 典型值为 4.5mΩ,在低压应用中可以最大程度地降低功耗和热量。
* 高电流容量: DMP32D4SW-7 的连续漏极电流 (ID) 可达 32A,非常适合高电流应用。
* 快速开关速度: 这款 MOSFET 拥有快速的开关速度,可以有效地提高系统效率。
* SOT-323-3 封装: SOT-323-3 封装的小巧尺寸使其适用于空间受限的应用。
三、技术参数
| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏极-源极电压 (VDS) | | 40 | V |
| 栅极-源极电压 (VGS) | | 20 | V |
| 漏极电流 (ID) | 32 | 32 | A |
| 导通电阻 (RDS(on)) | 4.5 | 8 | mΩ |
| 栅极电荷 (Qg) | | 10 | nC |
| 输入电容 (Ciss) | | 1100 | pF |
| 输出电容 (Coss) | | 100 | pF |
| 反向传输电容 (Crss) | | 40 | pF |
| 开关时间 (ton) | | 10 | ns |
| 开关时间 (toff) | | 12 | ns |
| 工作温度 | -55 | 150 | ℃ |
四、内部结构与工作原理
DMP32D4SW-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,它的内部结构包括源极 (S)、漏极 (D)、栅极 (G) 和一个由绝缘层覆盖的 P 型半导体衬底。
工作原理如下:
1. 当栅极电压 (VGS) 低于阈值电压 (Vth) 时, MOSFET处于截止状态。源极和漏极之间没有电流流过。
2. 当 VGS 高于 Vth 时, MOSFET处于导通状态。栅极电压在衬底和通道之间建立一个电场,将电子吸引到通道中,形成一个导电通路。
3. 通道的导电能力与 VGS 的大小成正比。当 VGS 提高时,通道的导电能力增强,导通电阻 (RDS(on)) 降低。
五、应用领域
DMP32D4SW-7 的低压、超低RDS(on) 特性使其在以下应用领域中具有优势:
* 电池供电设备: 手机、平板电脑、笔记本电脑、便携式蓝牙音箱等。
* 消费类产品: 数码相机、摄像机、游戏机等。
* 工业控制系统: 电机驱动器、电源转换器、开关电源等。
* 汽车电子: 车载导航、车载娱乐系统、车身控制系统等。
* 医疗电子设备: 便携式医疗设备、家用医疗设备等。
六、封装特性
DMP32D4SW-7 采用 SOT-323-3 封装,该封装具有以下优点:
* 小巧尺寸: 适合空间受限的应用。
* 高可靠性: 具有良好的机械强度和耐热性。
* 低成本: 与其他封装类型相比,成本更低。
* 易于安装: 可以使用自动贴片机安装。
七、使用注意事项
在使用 DMP32D4SW-7 时,需要注意以下事项:
* 最大额定值: 不要超过 MOSFET 的最大额定值,例如最大漏极-源极电压、最大漏极电流等。
* 栅极电压: 栅极电压应控制在安全范围内,以防止 MOSFET 损坏。
* 散热: MOSFET 导通时会产生热量,需要采取散热措施,例如使用散热器或通风。
* 保护电路: 为了保护 MOSFET,可以添加过电流保护、过电压保护和反向电压保护等电路。
八、与同类产品的比较
DMP32D4SW-7 在同类产品中具有以下优势:
* 超低导通电阻: 与其他同类产品相比, DMP32D4SW-7 的导通电阻更低,可以最大程度地降低功耗和热量。
* 高电流容量: DMP32D4SW-7 的连续漏极电流更高,可以满足更高电流的应用需求。
* 快速开关速度: DMP32D4SW-7 的开关速度更快,可以提高系统效率。
九、总结
DMP32D4SW-7 是一款低压、超低RDS(on) 的 N 沟道增强型 MOSFET,非常适合电池供电的应用,例如便携式电子设备、消费类产品和工业控制系统。其小巧的 SOT-323-3 封装,以及高电流容量和快速开关速度等特性,使其成为各种应用的理想选择。
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