"耗尽层"和"过渡电容"都是与半导体材料和器件中的电容有关的术语，分别表示不同的概念。

### 耗尽层（Depletion Layer）：

耗尽层是指在半导体 pn 结中，当 p 型半导体与 n 型半导体相接触时，形成的一种区域。在这个区域内，因为 p 型半导体的空穴和 n 型半导体的自由电子相遇，发生电子的重新组合和复合，导致该区域内的电荷数量减少，形成了一种没有可用载流子的“耗尽”状态。耗尽层中的电场阻止了进一步的载流子扩散，从而形成了一个电势垒。

耗尽层在二极管、MOSFET等半导体器件中起到重要作用，影响器件的导电特性。

### 过渡电容（Transition Capacitance）：

过渡电容是指在一个 pn 结二极管或其他半导体器件中，由于耗尽层的存在而产生的电容效应。当二极管或器件的电压发生变化时，耗尽层的宽度也会变化，从而导致耗尽层中的电荷分布发生变化，形成电容效应。这个电容被称为过渡电容。

过渡电容在高频应用中特别重要，因为它会影响器件的频率响应和性能。通过减小过渡电容，可以提高器件在高频下的工作性能。

综上所述，耗尽层是半导体 pn 结中由于不同掺杂型号的半导体相接触而形成的电荷贫化区域，而过渡电容则是由于耗尽层的存在而产生的电容效应。这些概念在半导体器件的设计和分析中都是非常重要的。