BSC027N04LSG参数

 

 

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BSC027N04LSG是一款高性能的MOSFET功率晶体管。它采用了Infineon Technologies公司的先进技术,具有低内阻、高效能的特点,适用于各种功率控制应用。

该晶体管的参数包括:
1. 器件类型:BSC027N04LSG是一种N沟道MOSFET晶体管,它采用了薄膜功率铟化镓(GaN)技术,在高频率和高压工作环境下表现出色。

2. 额定电压:BSC027N04LSG的额定电压为27V,提供了较大的工作电压范围,可满足多样化的功率控制要求。

3.最大漏源电流:该晶体管的最大漏源电流为4A,能够承受较大的电流负载,使其在高功率应用中具备出色的可靠性和稳定性。

4.内部电阻:BSC027N04LSG具有低内阻特性,其典型内部电阻仅为5mΩ,能够降低功率损耗,提高功率效率。

5. 开关时间:该晶体管的开关时间非常短,快速开关速度为5ns,能够在瞬间实现功率的传递,适用于高速开关应用。

6. 封装类型:BSC027N04LSG采用了TO-220封装,具有很好的热耦合性能,能够有效地散热,提高器件的使用寿命和可靠性。

7. 应用范围:该MOSFET功率晶体管可广泛应用于各种功率控制电路,如开关电源、电力逆变器、电机驱动器和照明等领域。其优异性能和先进技术为这些应用提供了更高的效率和可靠性。

总结:BSC027N04LSG是一款高性能的MOSFET功率晶体管,具有低内阻、高效能的特点。它在27V的额定电压下,能够承受最大4A的漏源电流。其快速的开关时间和优异的开关速度,使其在高功率应用中表现出色。采用TO-220封装,具有良好的热耦合性能,适用于各种功率控制电路。BSC027N04LSG广泛应用于开关电源、电力逆变器、电机驱动器和照明等领域,为这些应用提供了更高的效率和可靠性。

 

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