BUK9Y25-60E参数

 

 

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BUK9Y25-60E是一款功率型场效应晶体管(Power MOSFET),由国际知名半导体公司Infineon Technologies推出。该晶体管采用了先进的MOSFET技术,具有优异的性能和可靠性。下面将为您详细介绍BUK9Y25-60E的各项参数以及其应用领域。

BUK9Y25-60E的主要参数包括导通电阻、漏源击穿电压、漏源电流、输入电容等。它的导通电阻为60mΩ,漏源击穿电压为250V,漏源电流为25A,输入电容为2800pF。这些参数说明了BUK9Y25-60E在高电流、高压环境下的稳定性和可靠性,非常适用于各种功率电子应用。

BUK9Y25-60E具有低导通电阻,能够有效降低功率晶体管的功耗和发热。同时,漏源击穿电压的高度保证了它在大部分高压应用中的安全性。此外,漏源电流的额定值为25A,使得该晶体管能够承受较大的电流负载,适合于高功率设备的驱动和控制。

输入电容是指晶体管输入端和输出端之间的电容,它对于高频应用具有重要的影响。BUK9Y25-60E的输入电容为2800pF,较低的输入电容值使得它能够在高频应用中实现更高的开关速度和更好的动态响应。

BUK9Y25-60E可广泛应用于各种功率电子领域,包括电源管理、电机驱动、工业自动化、照明系统等。在电源管理领域,它可以用于开关模式电源和DC-DC转换器中,实现高效率的功率传输和稳定的输出电压。在电机驱动方面,它可应用于电动车辆、机械设备和家用电器等,提供高效的电动机驱动能力。在工业自动化中,它可用于高压开关和逆变器,实现可靠的电气控制和能量转换。在照明系统方面,BUK9Y25-60E可用于LED驱动和灯具控制,提供高效的光源管理和调光功能。

总之,BUK9Y25-60E作为一款功率型场效应晶体管,具有优异的性能和可靠性。其低导通电阻、高击穿电压和电流承载能力,以及较低的输入电容使其成为各种功率电子应用的理想选择。无论是电源管理、电机驱动、工业自动化还是照明系统领域,BUK9Y25-60E都能发挥出色的功能,为各种应用提供稳定、高效的电力驱动和控制能力。

 

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