CSD19533Q5AT参数

 

 

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CSD19533Q5AT是一款厂商为德州仪器(Texas Instruments)的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品。该产品具有以下参数和特性:

1. 电源电压:CSD19533Q5AT可以工作于6V至60V的宽电压范围内。这使得它适用于多种不同电源电压要求的应用场景。

2. 输出电流:CSD19533Q5AT有着高达80A(安培)的输出电流能力。这意味着它可以同时处理大量电流,适用于高功率应用,如电机驱动和功率放大器等。

3. 低导通电阻:该晶体管的导通电阻(Rds(on))非常低,通常在1.95 mΩ(毫欧姆)左右。低导通电阻降低了功率损耗和热量产生,提高了效率和可靠性。

4. 高开关速度:CSD19533Q5AT具有快速的开关速度,它的开关时间很短,通常在25纳秒(ns)以下。这使得它适用于需要频繁切换和快速响应的应用,如开关电源、DC/DC转换器和无线充电器等。

5. 低输入和输出电容:该晶体管具有较低的输入和输出电容,分别为650皮法(pF)和1100皮法(pF)左右。这有助于降低开关损耗、提高开关速度和减少干扰。

6. 先进的过温保护功能:CSD19533Q5AT具备内置的过温保护电路,能够在温度超过设定阈值时自动关闭。这个特性可以有效地保护 MOSFET 免受过热和损坏的风险。

总结起来,CSD19533Q5AT是一款高电压、高电流、低导通电阻的MOSFET产品。它的快速开关速度、低功耗和过温保护功能使其适用于许多不同的应用领域,包括电动汽车、工业自动化、电源管理和消费电子等。其稳定性、可靠性和性能优势使得CSD19533Q5AT成为设计工程师们的首选之一。

 

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