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IS42S16160J-6BLI参数
晨欣小编
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IS42S16160J-6BLI是一种高性能的低功耗Synchronous DRAM (SDRAM)芯片,由美国领先的半导体公司Micron Technology Inc.生产。该芯片采用6 ns的数据传输速度,采用BLI(Burst length of 4 Interleave)架构,适用于各种高速数据传输和存储应用。
IS42S16160J-6BLI芯片的容量为16 Mb(2 M x 8 位),工作电压为3.3 V。它具有一个4位的前置编码(A0-A3)和一个13位的行地址(A0-A12),以及一个9位的列地址(A0-A8)。这使得它能够提供单个存储单元大小为8位,总共有2,097,152个存储单元。
该芯片采用表面贴装技术(Surface Mount Technology,SMT)封装,封装类型为54-pin TSOP-II。这种封装方式可支持高速数据传输和可靠的连接,适用于紧凑的电路板设计。此外,IS42S16160J-6BLI芯片还具有自我刷新功能,可通过内置的刷新计数器定期刷新数据以维持数据的完整性。
IS42S16160J-6BLI芯片的主要特点包括:低功耗设计,以最大限度地减少电源消耗;高速数据传输,可满足对快速操作和访问速度的需求;独立的读写引脚,可同时进行读取和写入操作;内部预充电电路,可提高数据传输的速度和稳定性;内置数据缓冲器,可优化数据的传输和存储性能。
由于IS42S16160J-6BLI具有高性能和低功耗的特点,它在许多领域都有广泛的应用。在计算机系统中,它可用作主存储器或高速缓存存储器。在通信设备中,它可用于数据存储和传输,如路由器、交换机和网络服务器。此外,它还可用于消费电子产品,如数字相机、智能手机和平板电脑的内存扩展。
总结而言,IS42S16160J-6BLI是一款高性能、低功耗的Synchronous DRAM芯片,适用于各种高速数据传输和存储应用。其容量为16 Mb,工作电压为3.3 V,特点包括低功耗、高速数据传输、独立的读写引脚等。由于其出色的性能和可靠性,IS42S16160J-6BLI在计算机、通信和消费电子等领域得到了广泛应用。