SK100M025ST参数信息,中文介绍
2023-09-07 11:19:07
晨欣小编
SK100M025ST是一款标准的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于各种应用领域,如电源管理、马达控制、照明控制和电动汽车等。该器件具有高性能、高可靠性和低功耗的特点,能够有效提高系统性能。
SK100M025ST的主要参数包括漏极-源极电压(VDS)、栅极-源极电压(VGS)、功耗(Pd)、漏电流(IDL)和导通电阻(RDS(ON))等。
首先,漏极-源极电压(VDS)是指器件允许的最大漏极电压。对于SK100M025ST来说,其VDS为25V,这意味着在实际应用中,其电压不应超过25V,否则可能会损坏器件。
其次,栅极-源极电压(VGS)是指施加在栅极和源极之间的电压。SK100M025ST的VGS为±20V,这意味着在使用之前,必须确保栅极-源极电压不超过±20V范围,以免对器件造成损害。
功耗(Pd)是指器件在工作过程中所消耗的功率。对于SK100M025ST来说,其功耗为2.5W,这意味着在设计中需要合理考虑散热以确保器件正常工作。
漏电流(IDL)是指通过器件的漏电流。SK100M025ST的漏电流很低,通常在纳安级别,这表明该器件非常适合要求低功耗和高性能的应用。
导通电阻(RDS(ON))是指器件在导通状态下两个极端之间的电阻。SK100M025ST具有低导通电阻,通常在几欧姆以内,这使得其在高负载应用中能够更有效地传导电流,并减少功耗损耗。
总之,SK100M025ST是一款高性能、高可靠性和低功耗的MOSFET晶体管,适用于多个领域的应用。其关键参数包括VDS、VGS、Pd、IDL和RDS(ON),设计者在使用该器件时应注意这些参数的限制和要求,以确保系统的正常运行。