阈值电压（Threshold Voltage，通常表示为Vth）是场效应晶体管（FET）等半导体器件的一个关键参数，它表示晶体管从截止到导通状态的临界电压。阈值电压的测量和影响因素如下：

测量阈值电压的方法：

1. 传统方法：传统方法通常涉及实验测量。在实验中，你可以通过逐渐增加栅极电压并观察输出特性曲线（如ID-VG曲线）来确定阈值电压。阈值电压通常定义为晶体管输出电流（ID）在一定电压下达到某个特定值（通常为1微安或其他约定值）时的栅极电压。

2. 模拟仿真：使用电路仿真工具（如SPICE仿真软件），你可以建立晶体管的模型并进行仿真来估计阈值电压。

3. 从器件数据手册：阈值电压通常可以从半导体器件的数据手册中找到，这是制造商提供的标准规格之一。

影响阈值电压的因素：

1. 工艺参数：制造过程中的工艺参数（例如，掺杂浓度、氧化层质量、栅极材料等）会直接影响阈值电压。

2. 温度：温度的变化会影响半导体器件的性能，包括阈值电压。通常，随着温度的升高，阈值电压会下降。

3. 电源电压：电源电压的变化可以影响晶体管的阈值电压，特别是在CMOS电路中。

4. 制造差异：不同批次的晶体管可能会有制造差异，因此阈值电压也可能存在一定的差异。

5. 栅极电压：晶体管的栅极电压（Gate Voltage）对阈值电压有直接影响。栅极电压越高，晶体管越容易导通。

要测量或控制阈值电压，通常需要考虑这些因素，并在设计和制造过程中采取适当的措施来确保所需的阈值电压值。在高精度应用中，可能需要进行校准和温度补偿来减小阈值电压的变化对性能的影响。