N沟道型和P沟道型MOSFET的导通条件
更新时间：2026-02-19 08:25:05
晨欣小编
N沟道型（N-Channel）和P沟道型（P-Channel）MOSFET是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管，它们具有不同的导通条件：
N沟道型MOSFET导通条件：
当N沟道型MOSFET的栅极与源极之间施加正电压（Vgs > Vth），而且栅极电压高于源极电压时，N沟道型MOSFET导通。这意味着栅极电压必须足够高以形成通道，并且栅极电压高于源极电压才能控制通道的导通。
P沟道型MOSFET导通条件：
当P沟道型MOSFET的栅极与源极之间施加负电压（Vgs < Vth），而且栅极电压低于源极电压时，P沟道型MOSFET导通。与N沟道型MOSFET相比，P沟道型MOSFET的导通条件是相对的，因为电压方向相反。栅极电压必须足够低以形成通道，并且栅极电压低于源极电压才能控制通道的导通。
总结来说，N沟道型MOSFET在栅极与源极之间施加正电压时导通，而P沟道型MOSFET在栅极与源极之间施加负电压时导通。这些导通条件允许MOSFET在电子电路中用于不同的应用，包括放大、开关和电压控制等。
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