片式厚膜电阻器长期可靠性及失效模式研究案例-BOM电子元器件商城

片式厚膜电阻器长期可靠性及失效模式研究案例

2023-11-14 15:18:05

晨欣小编

片式厚膜电阻器的长期可靠性和失效模式是电子元器件领域的重要研究课题之一。下面简要介绍一些与该主题相关的研究成果和失效模式。

可靠性研究方法：研究者通常通过长期的实验和可靠性测试来评估片式厚膜电阻器的长期可靠性。这些测试包括加速老化实验，模拟使用环境条件，并监测电阻器的电性能和物理特性的变化。
失效模式：研究表明，片式厚膜电阻器的典型失效模式包括电阻值漂移、短路、断路和击穿。其中，电阻值漂移是最常见的失效模式，通常与内部金属薄膜的氧化、迁移或结构失序有关。短路和断路则可能由于金属薄膜的破损、裂纹或剥离引起。而击穿则是在电压过高时，导致绝缘层被击穿而引起的失效。
原因分析：片式厚膜电阻器的失效主要与制造工艺、材料选择、环境应力等因素有关。其中，金属薄膜的材料质量和制备工艺对电阻器的可靠性有重要影响。环境应力如温度、湿度、电压等也可能造成电阻器的失效。

为了提高片式厚膜电阻器的长期可靠性，研究者持续探索新的制造工艺、选用更可靠的材料，并开展更深入的失效机理研究。这些努力旨在改善电阻器的可靠性，以满足多样化和复杂环境下的应用需求。

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