变磁阻式传感器（Magnetoresistive Sensors）是一类基于磁阻效应的传感器，主要用于检测外部磁场的强度和方向。变磁阻效应是一种磁阻元件的电阻随外部磁场变化而变化的现象。以下是变磁阻式传感器的特点和原理：

特点：

1. 高灵敏度： 变磁阻式传感器对磁场变化非常敏感，可以检测微小的磁场变化。

2. 宽工作范围： 可以在较广的温度范围内工作，适用于不同的环境条件。

3. 低功耗： 相比一些其他磁感应技术，变磁阻式传感器通常具有较低的功耗。

4. 线性输出： 在一定范围内，变磁阻式传感器的输出与磁场的变化呈线性关系，方便信号处理。

5. 小型化： 由于采用了微纳加工技术，变磁阻式传感器可以制造得非常小巧。

6. 无接触测量： 由于不需要物理接触，变磁阻式传感器可用于无接触测量应用，减少了磨损和损耗。

7. 可靠性： 由于无运动部件，其结构相对简单，降低了故障的风险，提高了传感器的可靠性。

原理：

变磁阻效应有两种主要类型：安排磁阻效应（Anisotropic Magnetoresistance，AMR）和巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance，GMR）。

1. AMR（安排磁阻效应）：

• AMR 是一种在材料的晶格结构中引入磁各向异性的效应。当外部磁场与材料的各向异性轴相对夹角变化时，电阻也随之变化。

• 通过在晶格中引入磁性材料，可以使材料的电阻随磁场方向的变化而变化。

2. GMR（巨磁阻效应）：

• GMR 是一种在磁性层和非磁性层之间形成的多层结构中出现的效应。当这些层在磁场的作用下发生磁化时，电阻发生变化。

• GMR传感器通常由多个铁磁层和非磁性层交替排列而成。外部磁场的变化会影响铁磁层的相对磁化方向，从而引起整体电阻的变化。

变磁阻式传感器通常通过测量电阻的变化来检测外部磁场的强度和方向。这种原理使得这类传感器在许多领域得到广泛应用，包括磁力计、磁场传感器、磁导航等。