计算IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的损耗通常涉及考虑导通损耗和开关损耗。这两者都是由IGBT在工作时的电流和电压引起的。

以下是手动计算IGBT损耗的一般步骤：

1. 导通损耗（Conduction Losses）：

   导通损耗是由IGBT导通时的电流和电压引起的。导通损耗通常可以使用下式进行计算：

   ${�}_{\text{cond}}={�}_{\text{rms}}^2\cdot {�}_{\text{on}}$

   其中：

• ${�}_{\text{cond}}$ 是导通损耗（瓦特），

• ${�}_{\text{rms}}$ 是有效值电流（安培），

• ${�}_{\text{on}}$ 是IGBT的导通电阻。

2. 开关损耗（Switching Losses）：

   开关损耗是由IGBT在开关时产生的电流和电压波形引起的。它包括开关过程中的反向恢复损耗和开关过程中的导通损耗。一些厂商提供了具体的损耗公式，但一般而言，可以使用以下估算：

   ${�}_{\text{sw}}=\frac{1}{2}\cdot {�}_{\text{in}}\cdot {�}_{\text{sw}}\cdot ({�}_{\text{on}}+{�}_{\text{off}})\cdot {�}_{\text{sw}}$

   其中：

• ${�}_{\text{sw}}$ 是开关损耗（瓦特），

• ${�}_{\text{in}}$ 是输入电压（伏特），

• ${�}_{\text{sw}}$ 是IGBT的平均开关电流（安培），

• ${�}_{\text{on}}$ 和 ${�}_{\text{off}}$ 分别是IGBT的开启时间和关闭时间（秒），

• ${�}_{\text{sw}}$ 是开关频率（赫兹）。

3. 总损耗：

   将导通损耗和开关损耗相加，即可得到总损耗：

   ${�}_{\text{total}}={�}_{\text{cond}}+{�}_{\text{sw}}$

请注意，实际的IGBT损耗可能受到工作条件、环境温度、电源电压等因素的影响。因此，在实际设计中，可能需要考虑额外的因素和修正。此外，厂商通常会提供有关IGBT性能和损耗的详细数据，包括在不同工作条件下的性能曲线。在实际应用中，使用这些数据可以更准确地估算IGBT的损耗。