在IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）中，MOSFET结构指的是IGBT的门极部分，其中使用了金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的原理。IGBT结构是一种复合结构，结合了MOSFET的场效应控制和双极晶体管的电流放大特性。

在IGBT中，有一个类似MOSFET的结构，包括：

1. 栅极（Gate）： 用于施加控制电压，从而控制电流流过IGBT。

2. 绝缘层（Insulator）： 通常使用氧化物作为绝缘材料，用于隔离栅极和半导体材料。

3. 半导体层（Semiconductor）： IGBT中的半导体层实际上是N型和P型半导体的结合，类似于双极晶体管的NPN结构。

这个MOSFET结构在IGBT中的主要作用是控制电流的流动。当在栅极上施加适当的电压时，形成的电场影响了半导体层的电子和空穴的运动，从而调节电流通过IGBT的能力。这种场效应控制允许IGBT在栅极电压变化时迅速切换。

至于输入电容，它通常指的是IGBT的输入电容，即栅极和源极之间的电容。这个电容影响了IGBT对控制信号的响应速度。在IGBT设计中，设计者通常会努力降低输入电容，以确保更高的开关速度，从而提高整个电路的性能。高速IGBT对于一些应用，如变频驱动和电源逆变器，尤其重要。