场效应管（Field Effect Transistor，FET）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Transistor）是现代电子设备中常用的两种晶体管。它们都是半导体器件，但在功能和结构上有一些区别。

首先，场效应管包括两种类型：金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）和绝缘栅双极型场效应管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）。MOS管是场效应管的一种，常用于数字集成电路和模拟电路。它的结构包括门极、源极和漏极，其中门极与介电层隔开并带有控制信号，通过改变控制信号的电压来调节其导电能力。MOS管具有高输入阻抗、低功耗和尺寸小等特点，广泛应用于计算机芯片、手机和各种电子设备中。

与之相对应的是MOS管，即金属-氧化物-半导体结构的晶体管。MOS管的结构包括金属栅极、硅氧化物和半导体基底。与场效应管类似，MOS管也可以通过改变栅极电压来控制其导通能力。MOS管有多种类型，如MOSFET、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双极沟道金属氧化物半导体），根据不同的应用需求，选择不同类型的MOS管。

在功能上，MOS管在数字电路中具有较高的开关速度和噪音抑制能力，对电容负载也能更好地适应。它们可以在大范围内提供电压和电流放大，因此在通信系统和放大器中广泛应用。而场效应管则适用于需要更高输入阻抗和低噪音的应用，如放大器和传感器。

另外，两者在结构上也存在一些差异。MOS管通常需要较大的面积，因为其结构中需要加入外部维持栅电压的引线。场效应管的结构较为简单，不需要额外引线。相对而言，MOS管制造工艺较为复杂，成本也较高。由于这些差异，MOS管在一些特殊应用领域可能不如场效应管适用。

总的来说，场效应管和MOS管在功能和结构上存在区别。MOS管广泛应用于数字集成电路和模拟电路，具有高输入阻抗和低功耗等特点。而场效应管则更适用于需要更高输入阻抗和低噪音的应用。它们在电子设备的制造和应用中都起着重要的作用。