磁阻率是物质对磁场的阻碍程度的一个物理量。它是描述物质对磁场的响应能力的度量，也代表了物质中的磁性微观结构和分子自由度。磁阻率的物理量符号是μ，单位是特斯拉平方米每安培（T.m2/A），在国际单位制中常用符号表示为H/m。

磁阻率的数值与物质的磁性有关，具体来说，磁性强的物质有较高的磁阻率，而磁性弱的物质有较低的磁阻率。磁阻率的大小还受温度的影响，一般情况下，随着温度的升高，磁阻率会呈现出递减的趋势。

磁阻率的计算公式是μ = B/H，其中B代表磁感应强度，是指通过一定面积的垂直于磁场方向的表面的磁通量，单位是特斯拉（T）。H代表磁场强度，是指垂直于磁场方向上单位长度上的磁感应强度，单位是安培/米（A/m）。磁阻率公式的意义在于描述了在单位磁场强度下单位磁感应强度的大小。

与磁阻率密切相关的概念是磁导率，磁导率代表了通过单位截面积的体积空间中的磁感应强度与磁场强度的比例关系。磁阻率与磁导率之间有着紧密的联系，其关系可以用公式μ = μ0 × μr表示，其中μ0代表真空磁导率，它是一个常数，数值近似为4π × 10?7 H/m。而μr代表相对磁导率，是指物质相对于真空的磁导率大小。

通过这个公式，可以得知相对磁导率直接决定了磁阻率的大小。当物质具有磁性时，相对磁导率大于1，磁阻率随之增大；当物质不具有磁性时，相对磁导率等于1，磁阻率为常数。这种关系使得磁阻率和磁导率成为研究和应用磁性材料的重要参考指标。

总之，磁阻率是用来描述物质对磁场的阻碍程度的物理量，它与磁性强度有关，并且受到温度的影响。磁阻率的计算公式是 μ = B/H，而磁阻率和磁导率之间的关系可以用 μ = μ0 × μr 表示。磁阻率和磁导率的研究对于理解和应用磁性材料具有重要意义。