MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，常见的两种类型为NMOS（n型MOSFET）和PMOS（p型MOSFET）。它们在电子设备和集成电路中起着至关重要的作用。

首先，我们来讨论NMOS的导通条件。NMOS导通是指NMOS通道中的电流可以从源极流向漏极，使其处于导通状态。为了实现导通，NMOS需要满足以下几个条件：

1. 置于正向偏置：NMOS的栅极电压必须高于源极电压，才能使NMOS的通道形成。当栅极电压高于某一临界电压（即阈值电压）时，NMOS才会出现导电性。这个临界电压通常用Vth表示。

2. 源极电压低于漏极电压：在导通状态下，源极电压必须低于漏极电压。这样，电流才能自源极流向漏极，并经过导电通道。

3. 适当的输入信号：NMOS的栅极电压需要合适的输入信号来确保通道导通。这些输入信号一般是逻辑门电平或其他控制信号。

基于以上条件，NMOS可以在适当的条件下实现导通。一旦导通，NMOS会成为低电阻通道，允许电流流过。

但需要注意的是，NMOS是低电平导通还是高电平导通取决于实际电路设计。在某些情况下，NMOS可以被设计为低电平导通（当控制信号为低电平时）；而在其他情况下，NMOS可以被设计为高电平导通（当控制信号为高电平时）。

总结起来，NMOS导通的条件包括正向偏置、适当的输入信号和源极电压低于漏极电压。至于NMOS是低电平导通还是高电平导通，取决于具体的电路设计和控制信号。这种灵活性使得NMOS成为数字电路和集成电路中的重要组成部分，并在多种应用中发挥着关键作用。