IGBT是Isolated Gate Bipolar Transistor的缩写，中文翻译为隔离栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET的高速开关特性和双极型晶体管的大电流承受能力。IGBT的符号通常由三个部分组成：NPN双极型晶体管符号、箭头和控制极线。

首先是NPN双极型晶体管符号，它由三个相互交叉的箭头组成，表示了IGBT的三个区域：npn极、pin极和n+极。顺着箭头的方向，从左到右分别代表了集电极（Emitter）、基极（Base）和发射极（Collector）。

接下来是箭头，它位于符号的右侧，表示了控制IGBT开关状态的极性。箭头指向了IGBT的控制极，一般是通过外部电压控制器控制的。当箭头与NPN双极型晶体管符号连接时，表示IGBT开关处于导通状态；当箭头与NPN双极型晶体管符号断开时，表示IGBT开关处于截止状态。

最后是控制极线，它是一个竖直的直线，与图形中的箭头相连接。控制极线用于表示控制端的输入和输出信号，通常是电流或电压。根据控制极线的连接方式，可以分为两种类型的IGBT符号：常开型（Normally Open）和常闭型（Normally Closed）。常开型IGBT的控制极线与箭头相交，表示当控制端信号为高电平时，IGBT导通；常闭型IGBT的控制极线与箭头相连，表示当控制端信号为低电平时，IGBT导通。

总之，IGBT的符号由NPN双极型晶体管符号、箭头和控制极线组成。通过控制极线与箭头的连线方式，可以表示不同类型的IGBT。这些符号的设计使得工程师们能够方便地理解和使用IGBT，帮助实现各种功率电子应用，如电机驱动、逆变器和电源等。