2022-11-24 16:50:51

　　MOS管   FDV303N-ON

　　原厂型号：FDV303N-ON

　　品  牌： ON(安森美)

　　封装/规格：SOT-23

　　商品编号：FDV303N-SOT-23-ON

　　标准包装：3000

　　数据手册 / 封装库：https://bomyg.com/images/guigeshu2/on/FDV303N-D.PDF  

      下单链接：https://bomyg.com/goodsInfo/625506.html

　　这些N−沟道增强型场效应晶体管是使用ON Semiconductor专有的高单元密度DMOS技术生产的。这种非常高密度的工艺被定制为−在低栅极驱动条件下的状态电阻。该装置特别设计用于使用一个锂电池或三个镉电池或NMH电池的电池电路。它可以用作逆变器或−在紧凑型便携式电子设备（如蜂窝电话和寻呼机）中的高效微型离散DC/DC转换。此设备在−即使在低至2.5V的栅极驱动电压下，状态电阻也是如此。

　•25 V，0.68 A连续，2 A峰值

　　♦ RDS（开）=0.45Ω@VGS=4.5 V

　　♦ RDS（开）=0.6Ω@VGS=2.7 V

　　•允许在3 V电路中直接操作的极低电平栅极驱动要求，VGS（th）<1 V

　　•闸门−用于ESD耐用性的电源齐纳，>6kV人体模型

　　•紧凑型行业标准SOT−23表面安装组件

　　•此设备为Pb−无卤素/无BFR，符合RoHS