在单片机中，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）和Flash（闪存）是两种非常常见的存储器类型。虽然它们都可以在单片机中用于存储数据和程序代码，但它们在一些关键方面有着明显的区别。而单片机中为什么很少有EE（指的应该是EEPROM），则可能与其存储特性和成本有关。

首先，EEPROM和Flash都属于非易失性存储器（Non-Volatile Memory），这意味着它们可以在断电情况下保持数据的保存。然而，两者存储数据的方式却不同。EEPROM是一种可以进行随机读写操作的存储器，这意味着它可以单独地读取、写入和擦除其中的数据。这使得EEPROM非常适用于需要频繁修改数据的应用场景。而Flash则以其更高的存储密度和较低的成本而闻名，但它的数据访问速度相对较慢，并且必须按块（Block）进行擦除和写入操作。

虽然EEPROM具有较高的灵活性和可靠性，但它也具有一些显著的缺点。首先，EEPROM的存储密度相对较低，所以在需要存储大量数据的情况下可能无法满足需求。其次，EEPROM的成本相对较高，特别是在需要更大容量的存储器时。这导致在设计单片机时，往往更多地选择使用Flash作为主要存储器。

此外，Flash在单片机中的广泛使用还有一个重要原因：编程方便。Flash存储器可以通过编程器进行在线编程，这意味着可以在不拆下芯片的情况下，对存储在其中的程序代码进行更新。这种在线编程的能力对于单片机的开发和维修非常重要，因为它相对于EEPROM提供了更加便利和高效的方式。

总结起来，单片机中EEPROM和Flash这两种存储器类型的根本区别在于其擦写和编程的方式。EEPROM可以实现单字节的擦写和编程，适用于频繁修改数据的场景，但存储密度和成本相对较高。而Flash以其高存储密度、低成本以及便利的在线编程功能，在单片机设计中得到了广泛的应用，并逐渐取代了EEPROM的地位。尽管如此，具体到为何单片机中没有过多使用EEPROM，则可能是因为对于大部分应用来说，Flash已经能够满足存储需求，而EEPROM的使用相对有限，因此在芯片设计中选择Flash作为优先存储器更为经济和实用。