静态存储器（Static random-access memory，以下简称SRAM）是一种用于存储和访问信息的集成电路。和动态存储器（Dynamic random-access memory，以下简称DRAM）相比，SRAM具有更快的访问速度和更低的功耗。但是，SRAM具有易失性的特点，即在断电后会丢失存储的信息。为了解决这个问题，人们开发了一种非易失性静态存储器（nonvolatile static random-access memory，以下简称NVSRAM）。

NVSRAM采用了非易失性存储技术，可以在断电后继续保存数据，不会丢失信息。这让NVSRAM成为许多应用领域的理想选择，特别是对于那些要求数据可靠性和持久性的系统。例如，汽车电子系统需要在车辆关机后依然能够保存信息，以便下次启动时继续工作。NVSRAM的引入可以保证这些系统数据的完整性和可用性。

NVSRAM利用了不同于传统SRAM的存储方法。在SRAM中，存储单元由六个晶体管组成，每个存储单元的信息由电子在这些晶体管之间的传输控制。而在NVSRAM中，除了使用这些晶体管，还加入了一种非易失性存储设备，如闪存或电荷积累设备。这些设备可以将信息存储在它们内部，即使断电也能保持。

NVSRAM的设计和制造要比SRAM复杂一些。由于增加了非易失性存储设备的引入，需要更多的控制逻辑和专门的工艺来制造。但是由于其不需要外部电源来保持数据，NVSRAM可以减少功耗并提高系统可靠性。它还具有更快的启动时间，因为它不需要通过电源来恢复存储的信息。

近年来，随着物联网和嵌入式系统的迅速发展，NVSRAM的需求不断增长。这些系统需要存储大量的关键数据，而非易失性静态存储器可以满足这些要求。另外，NVSRAM还可以用于航天航空领域，因为在极端条件下，如高辐射环境或高温环境，NVSRAM也能够正常工作。

总结而言，非易失性静态存储器（NVSRAM）是一种使用非易失性存储技术的静态存储器，能够在断电后继续保存数据。它在许多应用领域都具有重要意义，特别是对于那些要求数据可靠性和持久性的系统。随着物联网和嵌入式系统的发展，NVSRAM的需求不断增长，显示了它在未来的重要性。