在电源设计中，MOSFET是一个非常重要的元件，用于控制电源的开关和调节电压。然而，MOSFET的损耗问题一直是设计师们头疼的难题。在减少MOSFET损耗的同时提升电磁兼容性（EMI）性能，是设计师们需要解决的重要问题。

首先，要减少MOSFET的损耗，可以从选择合适的MOSFET开始。选用低导通电阻、低开关损耗的MOSFET是减少损耗的有效途径。此外，还可以考虑采用具有低静电容和低反馈电容的MOSFET，以减少开关时的电荷移动和损耗。另外，在实际设计中，还可以通过优化MOSFET的布局和散热设计来减少损耗，提高效率。

其次，要提升EMI性能，可以采取一些措施。首先，合理设计电源线路，减少电源回路的电磁干扰。通过增加电容和电感等元件，可以有效地降低电源线路的噪声。另外，在选择滤波器时，可以选用高频率滤波器，以减少电磁干扰。

此外，控制MOSFET的开关速度也是提升EMI性能的重要因素。通过合适的驱动电路设计，可以控制MOSFET的开关速度，减少开关瞬间高峰电流和电压的波动，从而降低电磁辐射。

总的来说，在电源设计中，要兼顾减少MOSFET损耗和提升EMI性能，需要综合考虑MOSFET选型、布局设计、散热设计、电源线路设计等多个因素，并且在实际应用中进行不断优化和调整，才能够实现高效、稳定的电源系统。希望以上内容可以帮助设计师们更好地解决MOSFET损耗和EMI性能问题。