场效应管和晶闸管是常见的半导体器件，它们都在电子设备中起着重要作用。但是，这两种器件之间存在一些重要的区别。

首先，场效应管是一种三端器件，由栅极、漏极和源极组成。它的工作原理是通过控制栅极电场来调节漏极和源极之间的电流。在场效应管中，电流是由电势差产生的，因此它是一种电压控制器件。而晶闸管则是一种四层半导体器件，由三个电极组成，分别是阳极、阴极和门极。晶闸管是一种电压控制器件，它只能启动一次，然后保持导通状态直到电流减少到零。

其次，场效应管能够实现电压驱动，具有较高的输入阻抗和大的输出功率。它还有多种类型，如金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和金属-半导体场效应管（MESFET）等。相比之下，晶闸管的特点是功率大，但输入阻抗较低，需要大电流来控制。它主要用于高压、高功率和高频率电路中。

此外，场效应管和晶闸管在工作状态上也有一些不同。场效应管可以在全阻态下工作，即开关间的电路可以处于断开状态，而晶闸管则需要通过外部的触发信号才能导通。因此，晶闸管的导通和关断速度较慢。

总的来说，场效应管和晶闸管虽然都是半导体器件，但在结构、工作原理和应用领域上存在一些明显的差异。选择哪种器件取决于具体的电路需求和性能要求。