金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种常用的场效应管，广泛应用于功放电路中。在功放中，MOS管能够起到放大、调节和控制电流的作用，具有很高的效率和稳定性。

MOS管在功放中的应用可以分为正温管和负温管两种类型。正温管是指工作过程中温度升高时电流也随之增加的MOS管，而负温管则是指反之，即工作过程中温度升高时电流减小的MOS管。正温管在功放中的应用更为常见，可以提高功率放大器的效率和稳定性。

正温管具有很高的线性度和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，适用于高功率功放电路。正温管的特性使得功放电路不易受温度变化的影响，保证了整个系统的稳定性和可靠性。在一些特殊场合，正温管还可以用于温控电路，通过调节电流来控制温度的变化。

负温管则更适用于一些需要对温度敏感的场合，如射频功放和微波功率放大器。负温管能够在电路温度上升时自动减小电流，避免过热损坏电路元件。这种特性使得负温管在一些高频功率放大器中得到广泛应用，提高了整个系统的稳定性和可靠性。

综上所述，MOSFET作为一种常见的场效应管在功放电路中发挥着重要作用。正温管和负温管各有其特点，可以根据具体的电路需求选择合适的类型。MOS管的应用为功放系统的设计和性能提升提供了有效的解决方案，将继续在功放领域发挥重要作用。