IPB80N04S3H4ATMA1（英飞凌） 基本参数信息，中文介绍
更新时间：2026-02-04 10:04:18
晨欣小编
IPB80N04S3H4ATMA1是英飞凌推出的一款高性能MOSFET晶体管，具有优异的功率管理特性和稳定性。它采用了先进的硅技术和金属栅极结构，能够在高电压和高电流下提供可靠的性能。
该晶体管的主要参数包括：额定电压为80V，额定电流为80A，极耗功率为150W。它采用了TO263-4封装，方便安装和使用。此外，它还具有低导通电阻、快速开关速度和高抗干扰能力等特点，适用于各种功率管理和交流电源应用。
IPB80N04S3H4ATMA1广泛应用于工业控制、电动汽车、太阳能逆变器等领域，能够有效提高系统的效率和稳定性。它的高性能和可靠性赢得了广大客户的认可和好评。
总的来说，IPB80N04S3H4ATMA1是一款性能优异的功率MOSFET晶体管，适用于各种高压高电流的应用场合，是英飞凌在功率管理领域的重要产品之一。
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