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IS42S16400J-6TLI(ISSI) 基本参数信息,中文介绍

 

更新时间:2026-03-03 09:51:38

晨欣小编

IS42S16400J-6TLI是一种DRAM(Dynamic Random Access Memory)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)公司生产。该芯片具有以下基本参数信息:

1. 存储容量:IS42S16400J-6TLI具有16Mb(兆位)的存储容量,适用于各种嵌入式系统和通信设备。

2. 工作频率:该芯片的工作频率为166MHz,能够快速响应数据读写请求,提高系统运行效率。

3. 工作电压:IS42S16400J-6TLI的工作电压范围为2.5V至3.3V,能够满足不同系统对电压的需求。

4. 封装形式:此芯片采用的是TSOP封装形式,便于焊接到PCB板上,节省空间,并提高系统集成度。

IS42S16400J-6TLI具有优良的性能和稳定性,能够满足各种高性能应用的要求。其低功耗设计和高速读写能力,使其成为嵌入式系统中的理想选择。

ISSI公司作为一家专业的存储器解决方案供应商,致力于研发和生产高品质的DRAM芯片,以满足客户的不同需求。IS42S16400J-6TLI作为其产品线中的一员,得到了市场的广泛认可和好评。

总的来说,IS42S16400J-6TLI是一种性能卓越的DRAM芯片,具有良好的稳定性和可靠性,适用于各种应用场景,是嵌入式系统和通信设备中的理想选择。ISSI公司将继续致力于研发创新的存储器产品,以满足客户不断增长的需求。

 

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