IXFR32N50Q（IXYS） 基本参数信息，中文介绍
更新时间：2026-02-04 10:04:18
晨欣小编
IXYS公司的IXFR32N50Q是一款高性能N沟道MOSFET，适用于各种功率应用。这款器件具有极低的导通电阻和高的开关速度，是一个理想的选择，用于电源开关、电机驱动器和电源供应器等领域。
IXFR32N50Q的基本参数信息如下：
1. 额定电压（Vds）：500V
2. 额定电流（Id）：32A
3. 导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω
4. 最大功率（Pd）：200W
5. 输入电荷（Qg）：140nC
6. 工作温度范围：-55°C 到 +175°C
这款器件采用先进的MOSFET技术，具有优异的导通电阻和开关性能。其低导通电阻可以降低功率损耗，提高效率，使其在高频率开关应用中表现出色。
除了电源开关和电机驱动器，IXFR32N50Q还可以用于电压逆变器、电力因数校正器、充电器和逆变器等应用。其高震荡能力和可靠性，使其成为工业和汽车电子系统中的理想选择。
总的来说，IXFR32N50Q是一款性能卓越的N沟道MOSFET，具有高可靠性、低功耗和多种应用场景的特点。它在增强功率器件市场上占有重要地位，为各种功率应用提供了可靠的解决方案。
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