EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET
晨欣小编
在最新的技术突破中，EPC宣布推出了第一款具有最低1mΩ导通电阻的氮化镓场效应管（GaN FET）。这一突破性的产品将在电源管理和电动汽车等领域带来巨大的影响。
GaN FET是一种新兴的功率半导体器件，相比于传统的硅基器件，具有更低的开关损耗，更高的开关速度和更大的功率密度。然而，过去的GaN FET的主要瓶颈之一是其导通电阻较高，限制了其在高功率应用中的性能。
EPC的最新产品解决了这一问题，实现了导通电阻仅为1mΩ的令人惊讶的水平。这将使得GaN FET在高功率应用中能够实现更高的效率和更小的体积，从而降低整体系统的成本并提高性能。
这款新产品的推出也标志着EPC在GaN技术上的持续投入和创新。作为全球领先的GaN功率器件制造商，EPC一直致力于推动GaN技术的发展和应用，致力于为客户提供更具竞争力的解决方案。
据悉，这款具有最低导通电阻的GaN FET已经开始量产，并将很快面向市场。相信这一产品将在电源管理、电动汽车、光伏逆变器等领域引起巨大的轰动，为行业带来新的发展机遇。期待看到这一产品在未来的广泛应用中发挥重要作用，推动整个行业迈向更加绿色、高效的未来。
售前客服