晶体管作为现代电子电路中不可或缺的组成部分，其主要参数对于电子设备的性能起着至关重要的作用。晶体管的主要参数包括但不限于以下几点：

1. 饱和电流（Is）：指晶体管在饱和区的导通电流。通常用于描述晶体管的最大电流承受能力。

2. 漏极漏电流（Idss）：指晶体管在截止状态下的漏极漏电流，即当基极和发射极断开时，漏极上的电流。

3. 放大系数（β）：也称为直流电流放大倍数，指晶体管输出电流与输入电流之比，在直流工作状态下通常为几十到几百。

4. 切换时间（ts, td）：指晶体管从截止到饱和、或从饱和到截止的时间，是衡量晶体管性能之一。

5. 最大耗散功率（Pd）：指晶体管能够承受的最大功率，超过该功率会导致晶体管过热损坏。

6. 最大漏极耐压（Vceo）：指晶体管漏极与集电极之间的最大电压，超过该电压会使晶体管受损。

7. 输入电阻（Rin）：指晶体管输入端的电阻值，用于描述输入信号对晶体管的影响。

综上所述，晶体管的主要参数涵盖了其基本的电流、电压、功率等关键性能指标，这些参数对于选择合适的晶体管、设计电路以及保证电路稳定运行都至关重要。在实际应用中，工程师们需要根据具体的需求和设计要求来选择合适的晶体管，并且合理地利用晶体管的主要参数来优化电子设备的性能和稳定性。