OT412,115（WeEn 瑞能） 基本参数信息，中文介绍
晨欣小编
OT412,115（WeEn 瑞能）是一款高性能的双离子注入ST制造工艺的NPN晶体管芯片。该芯片具有以下基本参数信息：
1. 额定集电极电流（Ic）：0.1 A
2. 额定集电极电压（Vce）：60 V
3. 额定收集器功耗（Pc）：0.3 W
4. 最大集电极电流（Ic max）：0.5 A
5. 最大集电极电压（Vce max）：80 V
6. 最大功耗（Ptot max）：0.625 W
OT412,115（WeEn 瑞能）是一款适用于汽车电子、家用电器、医疗设备等领域的晶体管芯片。其高性能和稳定性使其广泛应用于各种电子设备中。该芯片采用双离子注入ST制造工艺，具有优良的导电性能和耐高温性能，能够满足各种复杂工作环境的需求。
此外，OT412,115（WeEn 瑞能）还具有良好的温度稳定性和电路保护功能，能够有效保护电子设备免受过电流、过电压等问题的影响。其可靠性和稳定性得到了市场和客户的一致好评。
总之，OT412,115（WeEn 瑞能）是一款优秀的晶体管芯片，具有出色的性能和稳定性，适用于各种领域的电子设备，是您的理想选择。
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