送货至:

 

 

PSMN025-100D(Nexperia 安世半导体) 基本参数信息,中文介绍

 

更新时间:2026-02-25 11:06:08

晨欣小编

PSMN025-100D是由Nexperia(安世半导体)生产的一款功率场效应晶体管。该晶体管主要用于低压驱动器应用,具有高可靠性和稳定性。

PSMN025-100D的主要技术特点包括:耐压达100V,漏极最大电流为38A,导通电阻低至0.04Ω。这些特点使得PSMN025-100D适用于各种低电压电路设计,如电源管理、电池充放电控制等领域。

此外,PSMN025-100D还具有低开关损耗和高效率的特点,可以帮助设计师降低系统能耗,提高性能表现。其可靠性和稳定性也得到了广泛的认可,可以在恶劣的工作环境下保持良好的性能。

总的来说,PSMN025-100D是一款性能优异的功率场效应晶体管,适用于各种低压驱动器应用。通过它,设计师可以轻松实现高效能耗控制,并获得稳定可靠的电路性能。如果你正在寻找一款适用于低电压电路设计的场效应晶体管,PSMN025-100D将是一个不错的选择。

 

上一篇: PSMN011-80YS,115(NXP 恩智浦) 基本参数信息,中文介绍
下一篇: PSMN027-100BS,118(NXP 恩智浦) 基本参数信息,中文介绍

热点资讯 - IC芯片

 

AT89C51ED2-RLTUM参数信息
AT89C51ED2-RLTUM参数信息
2026-02-26 | 1242 阅读
CDRH125-100MC参数信息
CDRH125-100MC参数信息
2026-02-25 | 1266 阅读
stm32f103c8t6数据手册及性能
stm32f103c8t6数据手册及性能
2026-02-25 | 1282 阅读
工业电力电子:IGBT 模块的选型与驱动电路抗干扰设计
骁龙665|SM6125芯片性能参数介绍
骁龙665|SM6125芯片性能参数介绍
2026-02-25 | 1051 阅读
VPS8504B\C微功率隔离电源专用芯片 2.8-6VIN/24V/1A 功率管
74151(74LS151 / 74HC151)功能表与引脚图说明
IDTQS3126S1 (IDT) PDF技术资料
IDTQS3126S1 (IDT) PDF技术资料
2026-02-25 | 1184 阅读
收起 展开
QQ客服
我的专属客服
工作时间

周一至周六:09:00-12:00

13:30-18:30

投诉电话:0755-82566015

微信客服

扫一扫,加我微信

0 优惠券 0 购物车 BOM配单 我的询价 TOP