动态随机存取存储器，简称DRAM（Dynamic Random Access Memory），是计算机中常见的内存模块。它作为计算机内存的一种，主要负责临时存储数据和程序，以供CPU进行读写操作。DRAM的存储单元电路采用了一种特殊的电容元件，称为存储单元电容。这个电容的工作原理是通过充电和放电来表示数据的1和0。

在DRAM存储单元电路中，每一个存储单元由一个存储单元电容和一个扭曲管构成。存储单元电容由一个电容和一个开关构成，用于存储数据位；而扭曲管则用于读写操作。当CPU需要读取或写入数据时，控制电路会发送信号到相关存储单元，通过控制电容的充电和放电过程，实现数据的读写。

在DRAM存储技术中，由于其基本原理是电容充放电，因此需要不断刷新存储单元电容的电荷来维持数据的稳定性。这就是为什么称为“动态”随机存储器的原因。尽管DRAM速度快、价格低廉，但由于其电容需要不断刷新，会导致功耗增大且容易丢失数据，相比之下静态随机存储器（SRAM）更稳定，但成本更高。

总的来说，DRAM是计算机内存中的重要一环，其存储单元电路读写原理和存储技术不仅影响着计算机的运行速度和稳定性，也影响着计算机内存的成本和功耗。在今后的技术发展中，DRAM技术将继续优化和改进，以满足人们对高速、低功耗、大容量存储的需求。