VND7NV04TR-E是ST意法半导体推出的一款集成型N沟道功率开关MOSFET，适用于汽车电子系统和工业控制等领域。这款器件具有出色的性能和稳定的质量，可以帮助提高系统的效率和可靠性。

VND7NV04TR-E的主要特点包括低导通电阻，高阈值电压，过电流保护和过温保护等功能。它采用了最新的技术，具有优秀的放大速度和低输出电流。此外，这款器件还具有较低的静态功耗和高的输入阻抗，能够在高温环境下长时间稳定工作。

VND7NV04TR-E的主要参数如下：典型导通电阻为0.19欧姆，额定电流为7安培，额定电压为40伏特，最大静态输出电流为10毫安，最大输入电压为26伏特，耐受温度范围为-40摄氏度至150摄氏度。

作为一款先进的功率开关器件，VND7NV04TR-E广泛应用于汽车电子系统中的电动窗户、车载灯光和电动座椅等功能，以及工业控制系统中的电磁阀、电机驱动和照明等领域。其稳定的性能和可靠的质量，得到了广大用户的一致好评。

总的来说，VND7NV04TR-E作为ST意法半导体推出的一款高性能功率开关MOSFET，具有出色的性能和稳定的质量，在汽车电子系统和工业控制领域有着广泛的应用前景。希望这篇介绍能够帮助您更好地了解这款器件的基本参数信息。