安世 (Nexperia) TVS 二极管 PTVS26VS1UR,115 SOD-123W 单向参数资料详解

安世 (Nexperia) PTVS26VS1UR,115 是一款单向瞬态电压抑制二极管 (TVS)，采用 SOD-123W 封装。它广泛应用于各种电子设备中，用于保护敏感电路免受瞬态电压尖峰的影响。本文将对该二极管的参数资料进行详细分析，并介绍其在电路中的应用和使用注意事项。

一、 技术参数概述

PTVS26VS1UR,115 的主要参数如下：

* 工作电压 (VRWM): 26V

* 峰值反向电压 (VRSM): 36.3V

* 峰值脉冲电流 (IPP): 115A (8/20μs)

* 钳位电压 (VC): 45V (典型值)

* 泄漏电流 (IR): 100μA (最大值)

* 结电容 (CJ): 4.5pF (典型值)

* 封装: SOD-123W

* 工作温度: -65℃ 到 +150℃

二、 参数解读与应用分析

1. 工作电压 (VRWM) 与峰值反向电压 (VRSM)

VRWM 代表二极管的正常工作电压，VRSM 代表二极管能够承受的最高反向电压。PTVS26VS1UR,115 的 VRWM 为 26V，VRSM 为 36.3V，这意味着该二极管在正常工作时，反向电压应低于 26V，但在瞬态情况下，能够承受 36.3V 的电压冲击。

2. 峰值脉冲电流 (IPP)

IPP 代表二极管能够承受的最大脉冲电流，它与脉冲宽度和波形有关。PTVS26VS1UR,115 的 IPP 为 115A (8/20μs)，这意味着该二极管能够承受 8μs 宽度、20μs 脉冲上升时间的 115A 脉冲电流。

3. 钳位电压 (VC)

VC 代表二极管导通后，能够钳住的最高电压。PTVS26VS1UR,115 的 VC 为 45V (典型值)，意味着当二极管导通时，它能够将电压钳制在 45V 以下，从而保护电路免受过高电压的损害。

4. 泄漏电流 (IR)

IR 代表二极管在反向偏置时的泄漏电流。PTVS26VS1UR,115 的 IR 为 100μA (最大值)，这意味着在反向偏置状态下，二极管的泄漏电流不会超过 100μA。

5. 结电容 (CJ)

CJ 代表二极管的结电容，它会影响电路的高频性能。PTVS26VS1UR,115 的 CJ 为 4.5pF (典型值)，这意味着该二极管的电容较小，对高频电路的干扰较小。

6. 封装 (SOD-123W)

SOD-123W 是一种小型封装，适合空间有限的应用场景。它具有较好的散热性能，能够有效地降低二极管的温升。

7. 工作温度 (-65℃ 到 +150℃)

PTVS26VS1UR,115 的工作温度范围较宽，能够满足各种应用环境的需要。

三、 电路应用与使用注意事项

PTVS26VS1UR,115 常用于以下场景：

* 保护敏感电路免受瞬态电压尖峰的影响： 例如，在电源线、数据线、信号线等易受瞬态电压干扰的线路中，使用 TVS 二极管可以有效地保护电路免受损坏。

* 抑制电磁干扰 (EMI): TVS 二极管可以吸收来自外部的电磁干扰信号，降低其对电路的影响。

* 提高电路的可靠性: 通过吸收瞬态电压尖峰，TVS 二极管可以提高电路的可靠性，延长其使用寿命。

使用 PTVS26VS1UR,115 时，需要注意以下几点：

* 选择合适的二极管: 应根据电路的具体要求，选择合适的二极管电压和电流参数。

* 正确安装: 应根据数据手册提供的安装指南，正确安装二极管，确保其与电路的连接良好。

* 散热: TVS 二极管在工作时会产生热量，应确保其散热良好，避免因过热而导致二极管损坏。

* 过电压保护: 应采取其他措施，例如增加保险丝或滤波器，进一步提高电路的过电压保护能力。

四、 结语

安世 (Nexperia) PTVS26VS1UR,115 是一款性能可靠的单向瞬态电压抑制二极管，它能够有效地保护敏感电路免受瞬态电压尖峰的影响，提高电路的可靠性和安全性。在实际应用中，需要根据电路的具体需求选择合适的二极管参数，并注意安装和散热问题，才能发挥其最佳性能。

参考文献

* [Nexperia 官方网站](nexperia/)

* [PTVS26VS1UR,115 数据手册](nexperia/products/protection-devices/transient-voltage-suppressors/ptvs26vs1ur-115)

* [TVS 二极管应用指南](digikey/en/articles/understanding-tv-diodes)