IS62WV51216BLL-55TLI 是一款高性能、低功耗的8Mb静态随机存取存储器（SRAM），具有512K × 16位的存储容量，适用于各种工业和车用应用。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造，能够提供较快的存取速度和低功耗操作，是要求低功耗和高速度的系统中理想的存储解决方案。

主要特点：

• 存储容量：8Mb（512K × 16位）

• 存取时间：55ns

• 电源电压：2.5V至3.6V

• 接口类型：TTL兼容

• 工作温度范围：-40°C至+85°C

• 封装形式：TSOP-II-44引脚表面贴装封装

• 低功耗：典型工作功耗为36mW，待机功耗为12µW

• 静态操作：无需时钟或刷新，完全静态运行

• 三态输出：可控制数据输出

• 数据控制：支持高字节（UB）和低字节（LB）访问

• 芯片选择和输出使能控制：通过CS1、CS2、OE和WE控制存储器的操作

电气特性

• 存储器大小：8Mbit

• 每字的位数：16位

• 字组数目：512K字

• 存取时间：最大55ns

• 工作电压范围：2.5V至3.6V

• 待机功耗：12µW（典型值）

• 工作功耗：36mW（典型值）

应用场景

IS62WV51216BLL-55TLI广泛应用于需要高速、低功耗静态存储器的领域，特别适合以下应用：

• 工业应用：用于控制系统、数据采集系统、自动化设备中的数据存储。

• 车载应用：用于汽车电子系统，提供稳定的存储解决方案。

• 消费电子：例如高性能计算机、网络设备等。

产品规格

参数

描述

购买链接：

总结

IS62WV51216BLL-55TLI 是一款可靠且高效的SRAM存储器，适用于需要快速存储和低功耗的应用。它的广泛工作电压范围、低功耗特性、以及强大的数据控制能力，使其在工业、车载及消费电子领域得到了广泛的应用。如果您有更多技术问题或需要支持，欢迎随时联系。