IXDH20N120 技术参数详情
更新时间：2026-03-04 16:18:15
晨欣小编
- 制造商产品型号：IXDH20N120
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：NPT
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：38A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：50A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，20A
- 功率-最大值：200W
- 开关能量：3.1mJ（开），2.4mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：70nC
- 25°C时Td（开/关）值：-
- 测试条件：600V，20A，82 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-3P-3 整包
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